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一种制造半导体器件的方法，包括：制备由碳化硅制成的且具有形成的n型区域(14、17)的衬底，使该衬底包括一个主表面(10A)的步骤；在包括主表面的区域中形成p型区域(15、16)的步骤；通过在不小于1250℃的温度下加热其中形成有p型区域(...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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