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本发明公开一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法，包括如下步骤：在GaN基LED外延片表面沉积ITO作为透明导电层；再置入稀盐酸溶液进行无掩模的湿法腐蚀；用去离子水清洗后烘烤；再在表面涂覆一层增粘剂；再涂覆一层正性或负性光刻胶，在热...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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