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本发明提供一种深阱退火方法，通过将少量氧气和大量惰性气体比如氧气和纯氮气的混合气体通入工艺腔来对硅衬底的有源区进行退火处理，解决了传统深阱热退火工艺中用纯氮气作为反应气体而在硅衬底的晶格损伤处易形成Si3N4粒子缺陷的问题，从而消除了硅衬底...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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