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本发明公开了一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，通过先在待测样本晶圆衬底表面形成锗非晶化阻挡层，以降低随后晶圆在被监控的离子注入机内的离子注入深度，再经高温退火以在晶圆表面形成具有良好导电性能的掺杂硅锗合金，从而可以直接采用四探针测试仪...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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