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本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法，制得的Sb2Te3薄膜结构简单，操作方便，无需后退火过程，可以直接在高温下进行溅射生长，减少对薄膜的损伤，同时薄膜厚度可以通过控制沉积时间得到调整，薄膜表面形貌可以通过调节溅射气压和衬底...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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