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本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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