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一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法，步骤如下：（1）在标准单元版图中进行阱接触保护带设计，即在标准单元版图中与阱接触相连并伸出到晶体管有源区两侧的区域设为保护带，并且在阱接触保护带上多打接触孔；（2）减小阱接触保护带的间距，阱接触保护带...
该专利属于西安空间无线电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安空间无线电技术研究所授权不得商用。

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