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本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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