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本实用新型涉及一种碳化硅单晶的生产装置，包括坩埚，所述坩埚的外部设有感应线圈，所述感应线圈套装在坩埚的中部外，所述坩埚的内部设有晶体生长平台、物质输送通道和碳化硅原料区，所述晶体生长平台有两个，分别设置在坩埚内的顶部和底部，所述物质输送通道...
该专利属于河北同光晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光晶体有限公司授权不得商用。

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