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本发明涉及一种包含下列层结构的单片集成半导体结构：A)基于掺杂的或未掺杂的Si的载体层，B)任选地具有组成BxAly?GazNtPv的层，其中x=0-0.1,y=0-1,z=0-1,t=0-0.1和v=0.9-1，C)具有组成BxAly?G...该专利属于纳斯普III/V有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳斯普III/V有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种包含下列层结构的单片集成半导体结构：A)基于掺杂的或未掺杂的Si的载体层，B)任选地具有组成BxAly?GazNtPv的层，其中x=0-0.1,y=0-1,z=0-1,t=0-0.1和v=0.9-1，C)具有组成BxAly?G...