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制造碳化硅的方法技术
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文档序号:10090027
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本发明涉及一种制造SiC的方法,其中尽量减少污染气体的排放,通过用过量碳还原硅氧化物,所述方法包括通过电加热在由选自石油焦的碳基源和硅源,尤其是纯度大于95%的SiO2的二氧化硅组成的原材料混合物中心处的电阻器以便在高于1500℃的温度下引...
该专利属于欧洲耐火材料制品公司所有,仅供学习研究参考,未经过欧洲耐火材料制品公司授权不得商用。
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