本发明涉及一种制造SiC的方法，其中尽量减少污染气体的排放，通过用过量碳还原硅氧化物，所述方法包括通过电加热在由选自石油焦的碳基源和硅源，尤其是纯度大于95%的SiO2的二氧化硅组成的原材料混合物中心处的电阻器以便在高于1500℃的温度...