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本发明提供一种EEPROM结构、存储阵列及其编程、擦除和读取方法，所述EEPROM结构包括：半导体衬底、位线结构、源线结构、字线结构、浮栅结构和控制栅结构；所述位线结构、源线结构、字线结构和浮栅结构均位于所述半导体衬底的表面；所述字线结构位...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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