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本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，至少包含栅极结构；在所述栅极两侧形成凹槽并在所述凹槽中外延生长SiGe层；对所述栅极两侧的SiGe层进行低能量的P型掺杂，形成源漏区，以降低接触电阻。本发明提供了一种半导体器件的制备...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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