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本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上生长半导体材料（103），半导体材料（103）上面为GeSn沟道（101），在沟道和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜（102），绝缘...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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