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本发明提供一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底。氮化镓薄膜层的制备方法包括以下步骤：获取间接衬底，并对所述间接衬底进行清洗；在所述间接衬底的表面形成石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜的表面形成氮化镓薄膜层。该氮化镓薄膜层的制备方法可以有效减少氮化镓薄...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。