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后栅工艺中假栅极制造方法技术
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文档序号:10044494
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本发明公开了一种后栅工艺中假栅极制造方法,包括:在衬底上依次形成栅极介质层、第一假栅极层;在第一假栅极层上形成硬掩模层;在硬掩模层上形成第二假栅极层;在第二假栅极层上形成第一掩模图案;以第一掩模图案为掩模,刻蚀第二假栅极层形成第二假栅极图案...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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