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本发明涉及一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其封装工艺如下：提供一带有芯片电极阵列及钝化层的芯片基体；在芯片基体表面沉积一介电层，并形成贯穿介电层的介电层通孔；在芯片电极的上方形成带有锡焊料帽的铜柱凸块，铜...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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