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在n型碳化硅衬底（90）上形成p型集电极层（101e）。在集电极层（101e）的顶表面侧上形成n型漂移层（102）。形成设置在漂移层（102）上的p型体区（103）以及设置在体区（103）上以通过体区（103）与漂移层（102）分离的n型发...
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