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本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高，制备时需要金属催化剂，原料成本高且会造成污染，需要高温进行操作，能耗高，安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备方法，将Zn粉、Ga...
该专利属于西安工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工业大学授权不得商用。

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