一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法技术

技术编号:10014485 阅读:101 留言:0更新日期:2014-05-08 08:35
本发明专利技术涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高,制备时需要金属催化剂,原料成本高且会造成污染,需要高温进行操作,能耗高,安全性差的问题。本发明专利技术提供ZnO纳米带的制备方法,将Zn粉、Ga2O3粉和Sn粉按照1:0.05:0.05的摩尔比在研钵中研磨,混合均匀后放置在氧化铝小料舟内,将其送入高温水平管式炉中,而后将刚玉管内抽真空至1-10Pa,通入纯Ar使环境压力维持在4.0×102Pa;将炉体升温到800-1000℃后将Ar关闭,通入O2将环境压力维持在1-10×102Pa,保温后将系统关闭,冷却后乳白色奶油状沉积物即为所需的ZnO纳米带。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:于灵敏范新会雷曼韦建松刘盛杨冰严文
申请(专利权)人:西安工业大学
类型:发明
国别省市:

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