一种高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法，首先按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具；然后配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料97~99重量份数、纳米二氧化硅1~3重量份数；再对混合料进行预处理；最后将预处理好的混合料倒入模具中进行注塑，即得到所述介质支撑。本发明专利技术方法操作简便，采用本发明专利技术后能使介质支撑的介电常数降低到2.30～2.60，而且能提高介质支撑的机械强度，延长注塑设备的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，首先按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具；然后配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料97~99重量份数、纳米二氧化硅1~3重量份数；再对混合料进行预处理；最后将预处理好的混合料倒入模具中进行注塑，即得到所述介质支撑。本专利技术方法操作简便，采用本专利技术后能使介质支撑的介电常数降低到2.30～2.60，而且能提高介质支撑的机械强度，延长注塑设备的使用寿命。【专利说明】
本专利技术涉及一种电缆连接器的制作，具体说是。
技术介绍
目前PTFE是射频同轴连接器中常用的介质支撑材料，但是对毫米波连接器来说，由于截止频率的限制至少在30GHz，其介质支撑的厚度就受到了很大的限制，这主要是因为在连接器中，只有当介质支撑的有效电长度相当短，使得不产生TEll模谐振，那么，TEM模和TEll模之间的相互作用是微弱的。根据“雷达设计手册”给出的经验公式，可估算出介质支撑的厚度是相当薄的，若使用PTFE材料来支撑，其机械强度是不够的。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种能降低介质支撑的固有介电常数的高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：，该方法包括如下步骤： (O按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具； (2)配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料97~99重量份数、纳米二氧化硅1-3重量份数； (3)预处理步骤（2)中混合料： (4)将步骤（3)中预处理好的混合料倒入模具中进行注塑，即得到所述介质支撑。本专利技术的有益效果在于：该方法操作简便，采用本专利技术后能使介质支撑的介电常数降低到2. 30~2. 60，而且能提高介质支撑的机械强度，延长注塑设备的使用寿命。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作更进一步的说明。实施例I :，该方法包括如下步骤： (1)按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具； (2)配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料97重量份数、纳米二氧化硅3重量份数； (3)预处理步骤（2)中混合料：在130°C进行干燥3小时； (4)将步骤（3)中预处理好的混合料倒入模具中，注塑时，注塑温度为32(T360°C，模具温度为7(T80°C，注塑压力为50 Mpa，保压时间为3秒，冷却时间为10秒。采用上述方法制成的介质支撑，其介电常数降低到2. 30~2. 60。实施例2 :—种高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法，该方法包括如下步 骤： (1)按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具； (2)配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料99重量份数、纳米二氧化硅I重量份数； (3)预处理步骤（2)中混合料：在150°C进行干燥4小时； (4)将步骤（3)中预处理好的混合料倒入模具中，注塑时，注塑温度为38(T40(TC，模具温度为10(Tl25°C，注塑压力为80 Mpa，保压时间为10秒，冷却时间为20秒。采用上述方法制成的介质支撑，其介电常数降低到2. 30?2. 60。实施例3 :—种高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法，该方法包括如下步骤： (1)按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具； (2)配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料98重量份数、纳米二氧化硅2重量份数； (3)预处理步骤（2)中混合料：在140°C进行蒸汽干燥或真空干燥3.5小时； (4)将步骤（3)中预处理好的混合料倒入模具中，注塑时，注塑温度为36(T380°C，模具温度为8(Tl00°C，注塑压力为70 Mpa，保压时间为7秒，冷却时间为15秒。采用上述方法制成的介质支撑，其介电常数降低到2. 30?2. 60。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。【权利要求】1.，其特征在于，该方法包括如下步骤： (1)按照高性能射频同轴连接器介质支撑的结构制作模具； (2)配制介质支撑所需混合料：包括聚醚酰亚胺材料97~99重量份数、纳米二氧化硅13重量份数； (3)预处理步骤（2)中混合料： (4)将步骤（3)中预处理好的混合料倒入模具中进行注塑，即得到所述介质支撑。2.根据权利要求1所述的高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法，其特征在于，步骤（3)中，预处理方法为：在13(Tl50°C进行干燥3~4小时。3.根据权利要求1所述的高性能射频同轴连接器介质支撑的制作方法，其特征在于，步骤（4)中，注塑时，注塑温度为32(T400°C，模具温度为7(Tl25°C，注塑压力为5(T80 Mpa,保压时间为3~10秒，冷却时间为10- 20秒。【文档编号】H01R13/40GK103762437SQ201310744894【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日 【专利技术者】史凤麟 申请人:镇江蓝箭电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史凤麟，
申请(专利权)人：镇江蓝箭电子有限公司，
类型：发明
国别省市：