触控装置结构及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种触控装置结构的制造方法，包括提供一基底，基底区分有一可视区。形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于可视区的基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区。形成一绝缘层于第一感测电极及第二感测电极上。转印复数导电架桥于绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本发明专利技术还提供一种触控装置结构。通过转印制程制作导电架桥、绝缘层及感测电极，以降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控
，特别是有关于一种。
技术介绍
随着资讯科技的发展，触控装置成为人机之间资讯传递的方式之一。触控装置分为可视区及边框区，在可视区中制作电极，在边框区分布电极引线，电极引线通过软性电路板将电极的讯号传递到讯号处理器中，完成触控感应的功能。电极通常由复数X方向电极及复数Y方向电极交错形成。例如，X方向电极及Y方向电极设置在同一透明基底的同侧，X方向电极为连续的，Y方向电极为不连续的。在X方向电极及Y方向电极交错位置设置绝缘层及导电架桥，导电架桥连接相邻两个Y方向电极，绝缘层设置于导电架桥与X方向电极之间，藉此，X方向电极及Y方向电极相互绝缘并确保在各自方向导通。这种具有导电架桥、绝缘层及电极等数层结构的触控装置制造方法，通常是通过多道溅镀及光刻制程在基底上依序制作出X方向及Y方向电极、覆盖X方向及Y方向电极的绝缘层以及连接Y方向电极的导电架桥。然而，上述触控装置制造方法中，形成次一层结构时会对前一步骤已形成之层结构产生影响。例如，上述制作方法中经过多次真空溅镀、曝光、显影与蚀刻制程后，电极可能会出现裂纹或脱离基底等问题。再者，上述制作方法采用真空溅镀及光刻制程的多道程序，所需设备昂贵，制作成本较高，且化学药剂污染性大。因此，有必要寻求一种新的触控装置结构之制造方法，其能够解决或改善上述的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种，通过转印制程制作导电架桥、绝缘层及感测电极，以降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。本专利技术提供一种触控装置结构之制造方法，包括提供一基底，基底区分有一可视区；形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于可视区的基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；形成一绝缘层于第一感测电极及第二感测电极上；以及转印复数导电架桥于绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本专利技术提供另一种触控装置结构之制造方法，提供一基底，基底区分有一可视区；形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于可视区的基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；以及转印一绝缘层及复数导电架桥于第一感测电极及第二感测电极上，其中每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本专利技术提供另一种触控装置结构之制造方法，包括提供一基底，基底区分有一可视区；以及转印复数第一感测电极、复数第二感测电极、一绝缘层及复数导电架桥于该基底上，其中第一感测电极与第二感测电极相互绝缘且交错排列，第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区，且其中每一导电架桥电性连接等相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本专利技术提供一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于可视区的基底上，其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间具有一架桥区；一绝缘层，设置于第一感测电极及第二感测电极上；一转印基膜；以及复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上，其中导电架桥通过一转印制程设置于绝缘层上，且对应于架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本专利技术提供另一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于可视区的基底上，其中第二感测电极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；一转印基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上；以及一绝缘层，设置于导电架桥上，其中导电架桥及绝缘层通过一转印制程设置于第一感测电极及第二感测电极上，且其中导电架对应于架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。本专利技术提供另一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；一转印基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上；一绝缘层，设置于导电架桥上；以及复数第一感测电极及复数第二感测电极，交错排列在绝缘层上，其中第二感测电极为不连续，且相邻第二感测电极之间界定出一架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘，且其中导电架桥、绝缘层、第一感测电极及第二感测电极通过一转印制程设置于可视区的基底上。根据本专利技术实施例，由于通过转印制作触控装置的导电架桥、绝缘层及感测电极，可降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而提升良率。另外，以转印制程取代溅镀及光刻制程，可简化制程，进而提高生产效率。另外由于无需昂贵的制程(例如，溅镀及光刻制程)设备，因此可提高价格竞争优势以及降低化学药剂的污染。【附图说明】图1A至1E-2为本专利技术一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图；图2A至2E为本专利技术另一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图；图3A至3E为本专利技术另一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图。图4为本专利技术一实施例之触控装置结构的爆炸图。【具体实施方式】以下说明本专利技术实施例。然而，可轻易了解本专利技术所提供的实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本专利技术，并非用以局限本专利技术的范围。再者，在本专利技术实施例之图式及说明内容中使用相同的标号来表示相同或相似的部件。请参照图1D-1及图4，其为根据本专利技术一实施例之触控装置结构剖面示意图及爆炸图。在本实施例中，触控装置结构包括:一基底100、复数导电架桥210、一绝缘层224、复数第一感测电极230、复数第二感测电极240及一转印基膜200。基底100区分有一可视区110。第一感测电极230及第二感测电极240相互绝缘且交错排列于可视区110的基底100上，其中第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续，且相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。其中第一轴向与第二轴向相互交叉，例如第一轴向与第二轴向相互垂直，但不以此为限。架桥区120位于可视区110内。绝缘层224设置于第一感测电极230及第二感测电极240上。导电架桥210相互间隔地设置于转印基膜200上，且对应于架桥区120，每一导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240，且与第一感测电极230通过绝缘层224相互绝缘。第一感测电极230及第二感测电极240可通过转印制程形成于可视区110的基底100上。在本实施例中，可先通过印刷制程，例如凹版印刷制程，在一转印基膜(未绘示)上形成第一感测电极230及第二感测电极240。接着，通过转印制程将转印基膜上的第一感测电极230及第二感测电极240转印至可视区110的基底100上。在其他实施例中，也可通过印刷制程将第一感测电极230及第二感测电极240形成于基底100上。相较于传统的溅镀及光刻制程，由于进行转印制程时不需要高温处理，因此第一感测电极230及第二感测电极240的材料不受限于耐高温的导电材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底区分有一可视区；形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于所述可视区的所述基底上，其中所述第一感测电极与所述第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；形成一绝缘层于所述第一感测电极及所述第二感测电极上；以及转印复数导电架桥于所述绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，所述基底区分有一可视区； 形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于所述可视区的所述基底上，其中所述第一感测电极与所述第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区； 形成一绝缘层于所述第一感测电极及所述第二感测电极上；以及转印复数导电架桥于所述绝缘层上，其中每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘。2.根据权利要求1所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，转印所述导电架桥于所述绝缘层上的步骤更包括: 形成所述导电架桥于一转印基膜上，所述导电架桥相互间隔；以及将具有所述导电架桥的所述转印基膜贴附于所述基底上，且所述导电架桥对应于所述架桥区。3.根据权利要求2所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，通过印刷制程形成所述导电架桥于所述转印基膜上。4.一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，所述基底区分有一可视区； 形成复数第一感测电极及复数第二感测电极于所述可视区的所述基底上，其中所述第一感测电极与所 述第二感测电极相互绝缘且交错排列，且其中所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；以及 转印一绝缘层及复数导电架桥于所述第一感测电极及所述第二感测电极上，其中每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘。5.根据权利要求4所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，转印所述绝缘层及所述导电架桥的步骤更包括: 形成所述导电架桥于一转印基膜上，所述导电架桥相互间隔； 形成所述绝缘层于所述导电架桥上；以及 将具有所述导电架桥及所述绝缘层的所述转印基膜贴附于所述基底上，且所述导电架桥对应于所述架桥区。6.根据权利要求5所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，通过第一印刷制程形成所述导电架桥于所述转印基膜上，通过第二印刷制程形成所述绝缘层于所述导电架桥上。7.根据权利要求1或4所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极通过转印制程形成，其中所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。8.根据权利要求1或4所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极通过溅镀及光刻制程形成。9.一种触控装置结构的制造方法，其特征在于，包括:提供一基底，所述基底区分有一可视区；以及 转印复数第一感测电极、复数第二感测电极、一绝缘层及复数导电架桥于所述基底上，其中所述第一感测电极与所述第二感测电极相互绝缘且交错排列，所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区，且其中每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘。10.根据权利要求9所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，转印所述第一感测电极、所述第二感测电极、所述绝缘层及所述导电架桥的步骤更包括: 形成所述导电架桥于一转印基膜上，所述导电架桥相互间隔； 形成 所述绝缘层于所述导电架桥上； 形成所述第一感测电极与所述第二感测电极于所述绝缘层上；以及 将具有所述导电架桥、所述绝缘层、所述第一感测电极及所述第二感测电极的所述转印基膜贴附于所述基底上，且所述导电架桥对应于所述架桥区。11.根据权利要求10所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，通过第一印刷制程形成所述导电架桥于所述转印基膜上，通过第二印刷制程形成所述绝缘层于所述导电架桥上，通过第三印刷制程形成所述第一感测电极与所述第二感测电极于所述绝缘层上。12.根据权利要求10所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。13.根据权利要求1、4及9项中任意一项所述的触控装置结构的制造方法，其特征在于，每一导电架桥的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。14.根据权利要求1、4及9项中任意一项所述之触控装置结构的制造方法，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述制造方法更包括在所述边框区的所述基底上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张恒耀，张振炘，吴孟学，伍哲毅，陈丽娴，
申请(专利权)人：宝宸厦门光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：