电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用。电子保护装置用于保护至少一个电负载（LS），电负载能连接到保护装置上，该电子保护装置具有输入端子（IN）和输出端子，该保护装置具有热自恢复的保险丝元件，该保险丝元件设计和构建为，根据保险丝元件温度（TPF）传导或限制第一电流（I1），为了限制第一电流，设置限制装置（T1、WA），该限制装置包括：与保险丝元件串联的第一晶体管（T1），和影响第一晶体管的监控电路（WA），其设计和构建为，a）在第一电流（I1）达到或超过预定义的最大电流值（Iwh）时使第一晶体管截止，以及b）在第一电流达到或低于预定义的接通电流值（Iwh）时接通第一晶体管。

【技术实现步骤摘要】
电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分的用于保护至少一个可连接到保护装置上的电器件的电子保护装置。本专利技术还涉及一种根据权利要求15的用于驱动电子保护装置的方法以及根据权利要求14的电子保护装置的应用。
技术介绍
由现有技术已知了一系列保护装置，其任务在于保护电压源和/或连接到电压源上的负载，尤其是以防过高的电流。在工业应用电能之初就已经开发并且使用这种保护装置、例如T.A.Edison的US专利第438，305号示出一种“保险丝盒”，该专利可追溯于1885年的一个专利申请。这种保险丝盒和当今所用的多数熔断保险丝一样具有这样的缺点:在故障情况后、即在所谓的熔断丝熔断后，必须用新的熔断保险丝来替换现有的熔断保险丝。为了避免在故障情况后必须替换断开的保险丝，在过去例如曾开发“自恢复保险丝元件”，其又称为“热自恢复保险丝”。常见自恢复保险丝元件的多种实施方式。技术人员大多根据制造自恢复保险丝元件所用的材料来区分它们。特别普遍的自恢复保险丝是所谓的“PTC保险丝”、尤其是基于聚合物的PTC保险丝，其中后者通常被称为“PPTC保险本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于保护至少一个电负载（LS）的电子保护装置（ES），所述电负载能连接到保护装置（ES）上，其中该电子保护装置（ES）具有输入端子（IN）和输出端子（OUT），该保护装置（ES）具有热自恢复的保险丝元件（PF），并且该保险丝元件设计和构建为，根据保险丝元件温度（TPF）传导或限制第一电流（I1），其特征在于，为了限制第一电流（I1），设置限制装置（T1、WA），该限制装置（T1、WA）包括?与保险丝元件（PF）串联的第一晶体管（T1），和?影响第一晶体管（T1）的监控电路（WA），所述监控电路（WA）设计和构建为，a）在第一电流（I1）达到或超过预定义的最大电流值（Iwh）时使第一晶体管（T1...

【技术特征摘要】
2012.08.23 DE 102012107779.71.用于保护至少一个电负载(LS)的电子保护装置(ES)，所述电负载能连接到保护装置(ES)上，其中该电子保护装置(ES)具有输入端子(IN)和输出端子(OUT)，该保护装置(ES)具有热自恢复的保险丝元件(PF)，并且该保险丝元件设计和构建为，根据保险丝元件温度(TPF)传导或限制第一电流(ip，其特征在于，为了限制第一电流(1义设置限制装置(^八^该限制装置^^八包括-与保险丝元件(PF)串联的第一晶体管(T1)，和-影响第一晶体管(T1)的监控电路(WA)，所述监控电路(WA)设计和构建为，a)在第一电流(IP达到或超过预定义的最大电流值(Iwh)时使第一晶体管(T1)截止，以及b)在第一电流(ip达到或低于预定义的接通电流值(Iwh)时接通第一晶体管(T1)。2.根据权利要求1所述的电子保护装置(ES)，其特征在于，在第一晶体管(T1)和保险丝元件(PF)的串联电路的第一端部上设置输入端子(IN)，其中该输入端子(IN)与电压源(VS)连接，并且在第一晶体管(T1)和保险丝元件(PF)的串联电路的第二端部上设置输出端子(OUT)，该输出端子(OUT)与负载(LS)连接，其中电子保护装置(ES)设计和构建为，借助影响第一晶体管(T1)的监控电路(WA)在流经负载(LS)的负载电流(13)超过预定义的最大允许值时在借助延时装置(C1、R2)影响的时间间隔内使第一晶体管(T1)截止，以便使负载电流(13)的值下降，使得负载电流(13)下降到或低于预定义的最大允许值。3.根据权利要求1或2所述的电子保护装置(ES)，其特征在于，第一晶体管(T1)是具有源极端子、栅极端子和漏极端子的M0SFET，其中，栅极端子与电流源(CS)和监控电路(WA)连接，能借助监控电路(WA)影响M0SFET的栅源电压。4.根据权利要求3所述的电子保护装置(ES)，其特征在于，与第一晶体管(T1)的栅源结并联地设置用于保护第一晶体管(T1)的过电压保护电路装置(D1、R5)。5.根据权利要求4所述的电子保护装置(ES)，其特征在于，M0SFET的栅极端子和M0SFET的源极端子与由第五电阻(R5)和齐纳二极管(D1)构成的并联电路连接，其中，齐纳二极管(D1)的负极端子(D1K)与M0SFET的栅极端子连接，并且齐纳二极管(D1)的正极端子(D1a)与M0SFET晶体管的源极端子连接。6.根据权利要求3至5之一所述的电子保护装置(ES)，其特征在于，监控电路(WA)包括具有晶闸管正极端子(TA)、晶闸管栅极端子(Te)和晶闸管负极端子(τκ)的晶闸管电路(ΤΗ)，其中，晶闸管正极端子(ΤΑ)为了影响M0SFET的栅源电压与M0SFET的栅极连接，并且能借助M0SFET的栅源电压影响第一电流(1:)。7.根据权利要求6所述的电子保护装置(ES)，其特征在于，晶闸管负极端子(Τκ)与第三晶体管(Τ3)的集电极端子连接，第三晶体管(Τ3)为ηρη双极型晶体管，并且第三晶体管(Τ3)的基极端子与第三电阻(R3)的第一端子连接，并且第三电阻(R3)的第二端子与M0SFET的漏极端子连接，并且第三晶体管(Τ3)的基极端子与第四电阻(R4)的第二端子连接并且第四电...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·格鲁伯，
申请(专利权)人：帝斯贝思数字信号处理和控制工程有限公司，
类型：发明
国别省市：