本发明专利技术涉及在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的特定中和盐(AB)、含有该中和盐(AB)的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。此处，中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少1个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol，上述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol。与以往的研磨液相比，本发明专利技术具有下述效果：刮痕等基板缺陷少，并且在清洗工序中容易除去研磨屑，进而在研磨工序中的研磨速度的持续性优异。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[0001 ] 本专利技术涉及在研磨工序中使用的中和盐、含有该中和盐的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。进一步详细地说，本专利技术涉及中和盐，该中和盐用于电子材料制造工序中的研磨工序，与以往相比，研磨速度的持续性良好且电子材料的表面品质提高，本专利技术还涉及含有该中和盐的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。
技术介绍
电子材料特别是磁盘每年都不断地向小型化、高容量化发展，磁头与磁盘基板间的距离变得越来越小。因此，要求一种基板，其在磁盘基板的制造中在研磨工序后立即进行的清洗工序中尽可能不会产生研磨中使用的研磨颗粒及所产生的研磨屑等颗粒的残留。并且，近年来，一直要求减少刮痕、凹坑、表面波纹度、塌边(夕' > )等表面缺陷。并且，为了应对近年来旺盛的需求，不仅是上述的基板品质，而且还要求生产更加效率化，具体来说强烈要求研磨速度的持续性。磁盘制造工序包括:磨光(9 〃 > >/ )工序、即将基板用板进行倒角加工的工序；基片(寸7'^卜P—卜)制造工序、即制作出平坦化的基板的工序；以及介质工序、SP将磁性层形成于该基板上的工序。这些之中，在磨光工序中，为了粗略地对基板进行倒角，使用利用树脂将金刚石等磨石固定而成的研磨垫和研磨液，对基板的主表面和端面进行研磨，在随后的清洗工序中除去基板的主表面和端面的研磨屑，然`后经过干燥工序，将加工后的基板传输至基片制造工序。并且，在基片制造工序中，为了基板的平坦化，利用研磨垫和含有胶态二氧化硅、氧化铈等研磨颗粒的研磨液进行研磨，在随后的清洗工序中除去基板表面的研磨颗粒及所产生的研磨屑等颗粒，然后经过干燥工序，加工后的基板被包装在规定的容器中，传输至介质工序。研磨液中的研磨颗粒及所产生的研磨屑非常细，因此容易凝集，这些凝集物在研磨基板的工序中有时对基板的表面品质产生影响。例如，在这些凝集物和基板之间产生阻力，有时会在基板上产生刮痕。基板上产生的刮痕会导致例如后面的介质工序中的磁性膜与基板的密合不良，会成为阻碍磁盘高容量化的一个因素。因此，为了减少上述的刮痕产生及抑制研磨速度的下降，以往提出了含有苯并三唑等唑类或马来酸等的研磨液(例如专利文献1、2)。并且，为了研磨速度的持续性提高，提出了含有芳香族磺酸盐的研磨液(例如专利文献3) ο而且，为了减少颗粒在基板表面上的附着，以往提出了含有羟基乙基纤维素的研磨液(例如专利文献4)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-92064号公报专利文献2:日本特开2005-138197号公报专利文献3:日本特开平08-109389号公报专利文献4:日本特开平11-116942号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，利用专利文献I~4所代表的以往的研磨液，对研磨中的刮痕产生和颗粒的附着等的抑制效果并不充分，不能应对用于实现高容量化所容许的基板品质。并且，专利文献2的研磨液虽然在研磨速度的持续性上具有若干效果，但并不充分，并且研磨后的基板品质也不能得到满足。因此，本专利技术的目的是提供一种在电子材料制造工序中的研磨工序中与以往的研磨液相比刮痕等基板缺陷少、且在随后的清洗工序中能容易除去由研磨所产生的研磨屑、进而研磨工序中的研磨速度能够得到持续的材料；包含该材料的电子材料用研磨液；使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法；以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。解决课题的手段[0021 ] 本专利技术人为了实现上述目的进行了研究，结果完成了本专利技术。即，本专利技术涉及在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中所使用的特定中和盐(AB)、含有该中和盐(AB)的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液来研磨电子材料中间体的研磨方法、以及包括利用该研磨方法来研磨电子材料中间体的工序的电子材料的制造方法。此处，中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少I个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应(7 口卜>付加反佑)中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol~152kcal/mol,上述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Ql)为3kcal/mol~200kcal/mol。专利技术效果研磨工序中所使用的本专利技术的中和盐具有显著降低在研磨工序中产生于被研磨物表面的表面缺陷的效果。并且，还具有如下效果:减少研磨中的颗粒的附着、在随后的清洗工序中容易将上述颗粒从基板上除去。而且，与以往的研磨液相比，含有该中和盐的电子材料用研磨液除了具有上述效果外，在研磨速度的持续性方面也优异。因此，能够稳定制造刮痕或凹坑等表面缺陷和/或颗粒的残留少的电子材料。【具体实施方式】本专利技术的中和盐为在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中所使用的特定中和盐(AB)。此处，中和盐(AB)为酸性化合物⑷与含氮碱性化合物⑶的盐,所述酸性化合物(A)在分子内具有至少I个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol~152kcal/mol,上述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Ql)为 3kcal/mol ~200kcal/mol。本专利技术中的电子材料只要是通过在制造工序中包括使用研磨垫进行研磨的工序的工序进行制造的电子材料，就没有特别限定。可以举出例如⑴硬盘用玻璃基板或表面镀覆有镍-磷(N1-P)的硬盘用铝基板等磁盘用基板；(2)半导体兀件或娃晶片等半导体基板；(3) SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等化合物半导体基板；(4)LED用等的蓝宝石基板；等等。这些之中，从提高生产效率的角度出发，优选为磁盘用基板，具体来说为硬盘用玻璃基板或表面镀覆有镍-磷(N1-P)的硬盘用铝基板。电子材料中间体是指，成为电子材料之前的状态的被研磨物，例如为硬盘用玻璃基板的情况下，其是指磨光前的玻璃基板、用氧化铈等粗研磨前的玻璃基板、用胶态二氧化硅等精细研磨前的玻璃基板等，这意味着研磨加工前的电子材料全部为电子材料中间体。本专利技术的研磨工序是指，使用磨石或研磨颗粒将材料加工成平坦的工序，例如包括使用固定有磨石的研磨垫进行粗略倒角的磨光工序、使用研磨颗粒精细地进行平坦化的研磨工序。本专利技术的研磨垫是聚氨酯树脂制或聚酯树脂制的垫，包括表面固定有金刚石等磨石的垫。并且，可以为发泡型，也可以为绒面(7 二一 K )型，可以使用各种硬度的研磨垫。对于这些研磨垫没有特别限定，可以使用市售的研磨垫。研磨垫在上述的进 行粗略倒角加工的磨光工序、使用研磨颗粒精细地进行平坦化的研磨工序中贴附于研磨装置的固定盘上进行使用。本专利技术中的中和盐(AB)的特征在于，其由酸性化合物(Al)与化合物⑶的中和盐(ABl)和/或作为酸性化合物的聚合物(A2)与化合物⑶的中和盐(AB2)构成。中和盐(ABl)为酸性化合物(Al)与化合物⑶的中和盐，所述酸性化合物(Al)分别具有至少一个酸基(Xl)和碳原子数为I~36的疏水基(Y)，所述酸本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种中和盐，其为在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的研磨液用中和盐(AB)，中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少1个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol～152kcal/mol，所述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3kcal/mol～200kcal/mol。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.29 JP 2011-144241;2011.06.30 JP 2011-14641.一种中和盐，其为在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的研磨液用中和盐(AB)， 中和盐(AB)为酸性化合物(A)与含氮碱性化合物(B)的盐，所述酸性化合物(A)在分子内具有至少I个酸基(X)，所述含氮碱性化合物(B)在质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10kcal/mol~152kcal/mol,所述酸基(X)在酸解离反应中的生成热变化(Ql)为3kcal/mol ~200kcal/mol。2.如权利要求1所述的中和盐，其中，该中和盐(AB)的重均分子量为1,000~200，000。3.如权利要求1或2所述的中和盐，其中，该中和盐(AB)为具有羧基的聚合物(A2-3)的盐。4.如权利要求1~3的任一项所述的中和盐，其中，该含氮碱性化合物(B)为1,8-二氮杂双环[5.4.0] -|碳烯-7。5.一种电子材料用研磨液,其为在使用研磨垫来研磨电子材料中间体的工序中使用的研磨液，该研磨液含有权利要求1~4的任一项所述的中和盐(AB)和水作为必要成分。6.如权利要求5所述的电子材料用研磨液，其中，该研磨液还含有研磨颗粒(C)。7.如权利要求6所述的电子材料用研磨液，其中，该研磨颗粒(C)为选自由胶态二氧化硅、氧化铈、氧化铝和金刚石组成的组中的I种以上。8.如权利要求6或7所述的电子材料用研磨液，其中，电子材料用研磨液中的中和盐(AB)的浓度为0.01重量％~4重量％、研磨...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口俊一郎，
申请(专利权)人：三洋化成工业株式会社，
类型：
国别省市：
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