【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光伏装置
本专利技术涉及光伏装置。
技术介绍
公知在结晶类硅基板和被掺杂的非晶硅层之间实质上形成有本征的非晶硅层的光伏装置。作为提高具有这种结构的光伏装置的输出特性的方法，公开有提高了硅基板与本征非晶硅层的界面部分的氧浓度的结构(参照专利文献I)。另外，公开有在本征非晶硅层中对于氧浓度设置有梯度，提高了被掺杂的非晶硅层侧的氧浓度的结构(参照专利文献2 )。另一方面,在由本征非晶娃层形成的娃基板的表面的钝化(inactivation)技术中，报告了使本征非晶硅层整体含有适当量的氧，在层内形成有微小的非晶氧化硅区域，由此促进钝化(参照非专利文献I)。并且，报告了使本征非晶硅层整体含有适当量的氧时，光伏装置的输出特性提高(参照非专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:专利第4070483号公报专利文献2:日本特开2008 - 235400号公报非专利文献非专利文献I:J.Appl.Phys.107,014504 (2010)非专利文献I:Appl.Phys.Lett.91，133508 (2007)
技术实现思路
专利技术想要解决的课题但是，当非晶硅层中进入过度的氧时，该氧作为杂质起作用而形成缺陷，有时形成高电阻区域，期待使所含有的氧浓度最佳化。但是，对于本征非晶硅层内的最佳的氧浓度分布(profile)、特别是在硅基板与本征非晶硅层的界面侧的氧浓度并没有充分研究。用于解决技术问题的技术方案本专利技术包括第一导电型的结晶类半导体基板、形成在半导体基板的第一表面上的本征的第一非晶质半导体层、和形成在第一非晶质半导体层上的第一导电型或与第一导电型相反的...
【技术保护点】
一种光伏装置，其特征在于，包括：第一导电型的结晶类半导体基板；形成在所述半导体基板的第一表面上的本征的第一非晶质半导体层；和形成在所述第一非晶质半导体层上的、第一导电型或与第一导电型相反的导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.30 JP 2011-1451421.一种光伏装置，其特征在于，包括: 第一导电型的结晶类半导体基板； 形成在所述半导体基板的第一表面上的本征的第一非晶质半导体层；和 形成在所述第一非晶质半导体层上的、第一导电型或与第一导电型相反的导电型的第二非晶质半导体层， 在所述第一非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。2.如权利要求1所述的光伏装置，其特征在于: 所述半导体基板与所述第一非晶质半导体层的界面附近的5nm以内的高浓度氧区域中的氧浓度为I X IO2Vcm3以上I X IO2Vcm3以下。3.如权利要求2所述的光伏装置，其特征在于: 所述第一非晶质半导体层的所述高浓度氧区域以外的区域中的氧浓度小于IXio2ci/3cm ο4.如权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，包括: 形成在所述半导体基板的与所述第一表面相反侧的第二表面上的本征的第三非晶质...
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