光伏装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种光伏装置，其特征在于，包括：n型的结晶类半导体基板；在所述半导体基板的第一表面上形成的本征的第一非晶质半导体层；在所述第一非晶质半导体层上形成的p型的第二非晶质半导体层；在所述半导体基板的与所述第一表面相反一侧的第二表面上形成的本征的第三非晶质半导体层；和在所述第三非晶质半导体层上形成的n型的第四非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层和第三非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，所述第一非晶质半导体层的所述台阶状部分的氧浓度比所述第三非晶质半导体层的所述台阶状部分的氧浓度高。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野步，大钟章义，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：
国别省市：