一种高压瓷片电容器制造技术

一种高压瓷片电容器，包括环氧包封层、陶瓷芯片、引线；其中，引线与陶瓷芯片连接，陶瓷芯片与引线的一端包裹于环氧包封层，引线另一端延伸至环氧包封层外；且引线在环氧包封层内呈四边形结构。本实用新型专利技术引线采用分组方式，在环氧包封层内呈四边形结构，加大了引线间的夹角角度，有利于提升电容器的耐压能力；且环氧包封层包括硅微粉填料，通过提高环氧包封层中硅微粉填料的加入量，有效降低环氧包封层的残余应力，提高陶瓷芯片耐电压合格率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种高压瓷片电容器
本技术涉及电容器
，具体为一种高压瓷片电容器。
技术介绍
电容器(capacitor)简称电容，是组成电子电路的主要元件。它可以储存电能，具有充电、放电及通交流、隔直流的特性。电容器是由两个电极及其间的介电材料构成，介电材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行极板间的电场中时，由于极化而在介质表面产生极化电荷，遂使束缚在极板上的电荷相应增加，维持极板间的电位差不变。目前，市场上使用的高压电容器的引线结构是将陶瓷芯片夹于两引线夹角中心位置。由于两引线间的夹角角度较小，使得两引线与陶瓷片正负极边缘的距离太短，当环境温度升高时，电容器的绝缘电阻急剧下降。这样容易造成引线和电极之间拉弧，导致电容器耐压击穿。同时电容量与损耗角正切随温度的变化，因所用的介电材料而异。随着高压电容器应用范围的不断扩大，环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一，其与电机械力的联合作用造成陶瓷-环氧界面的劣化。当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封层与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低耐电压水平。
技术实现思路
本技术所解决的技术问题在于提供一种高压瓷片电容器，以解决上述
技术介绍
中的缺点。本技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种高压瓷片电容器，包括环氧包封层、陶瓷芯片、引线；其中，引线与陶瓷芯片连接，陶瓷芯片与引线的一端包裹于环氧包封层，引线另一端延伸至环氧包封层外；且引线在环氧包封层内呈四边形结构。在本技术中，引线采用分组方式，在环氧包封层内呈四边形结构，加大了引线间的夹角角度，同时延长了引线与陶瓷芯片正负极边缘的距离，有利于提升电容器的耐压能力。在本技术中，环氧包封层包括硅微粉填料，通过提高环氧包封层中硅微粉填料的加入量，有效降低环氧包封层的残余应力，提高陶瓷芯片的耐电压合格率。有益效果:本技术引线采用分组方式，在环氧包封层内呈四边形结构，加大了引线间的夹角角度，有利于提升电容器的耐压能力；且环氧包封层包括硅微粉填料，通过提高环氧包封层中硅微粉填料的加入量，有效降低环氧包封层的残余应力，提高陶瓷芯片耐电压合格率。【附图说明】图1为本技术较佳实施例的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见图1的一种高压瓷片电容器，包括环氧包封层1、陶瓷芯片2、引线3 ;其中，弓丨线3与陶瓷芯片2连接，陶瓷芯片2与引线3的一端包裹于环氧包封层1，引线3另一端延伸至环氧包封层I外；且引线3在环氧包封层I内呈四边形结构。在本实施例中，引线3采用分组方式，在环氧包封层I内呈四边形结构，加大了引线3间的夹角角度，同时延长了引线3与陶瓷芯片2正负极边缘的距离，有利于提升电容器的耐压能力。在本实施例中，环氧包封层I包括硅微粉填料，通过提高环氧包封层I中硅微粉填料的加入量，有效降低环氧包封层I的残余应力，提高陶瓷芯片2的耐电压合格率。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压瓷片电容器，包括环氧包封层、陶瓷芯片、引线；其特征在于，引线与陶瓷芯片连接，陶瓷芯片与引线的一端包裹于环氧包封层，引线另一端延伸至环氧包封层外；且引线在环氧包封层内呈四边形结构。

【技术特征摘要】
1.一种高压瓷片电容器，包括环氧包封层、陶瓷芯片、引线；其特征在于，引线与陶瓷芯片连接，陶瓷芯片与引线的一端包裹于环氧包封层，引线另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李骏，
申请(专利权)人：南京科敏电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：