多向性倾斜开关制造技术

一种多向性倾斜开关，包含一个壳体、数个导电端子，及至少一个导体。该壳体具有界定出一个容室的一个内表面，及形成在壳体外表面的至少两个凹槽。所述导电端子分别具有插置且隐藏在该凹槽内的一个嵌置部、穿置在该容室内的一个导接部，及形成在反向于该导接部的一面且通过该凹槽显露在该壳体外的一个第一接着面，所述导接部呈阵列排列。该导体容置在该容室内，在与任两个导接部接触的一个第一位置，及不同时接触任两个导接部的一个第二位置间移动。借此，利用隐藏式的嵌置部及显露的第一接着面，在不影响导接面积的情形下，缩减整体的高度及占用的空间，进而提升空间效益。

【技术实现步骤摘要】
多向性倾斜开关
本专利技术涉及一种倾斜开关，特别是涉及一种利用角度变化达到开、关作用的多向性倾斜开关。
技术介绍
参阅图1，以中国台湾专利第1310951号案的滚珠开关I为例，主要包含有界定出一个容室10的一个壳体11、两导电端子12、13，及容置在该容室10内的一个导体14。所述导电端子12、13呈板片状，并分别具有穿经该壳体11且定位在该容室10内的两个导接部121、131，及显露在该壳体11外且连接所述导接部121、131的一个连接部122、132。所述导接部121、131两两相对配置在该导体14周围。借此，当该滚珠开关I因为振动而产生角度变化，且该导体13同时接触任一个导接部121与任一个导接部131时，就能够形成通路状态，且该导体14不同时接触该导接部121与该导接部131时则形成断路状态，达到开、关的效果。然而，该滚珠开关I只能沿一 X轴方向具有开、关效果，无法达到多向开、关的效果，且整个显露在该壳体11外的连接部122、132虽然能够以底面、侧面形成较大面积且不同方向的焊接面，却会增加该滚珠开关I整体的高度，及占用的空间。参阅图2，另以中国台湾专利第1239025号案的滚珠开关2为例，同样包含有界定出一个容室20的一个壳体21、四导电端子22，及容置在该容室20内的一个导体23。不同处在于:所述导电端子22呈长条状，并分别具有穿经该壳体21且定位在该容室20内的一个导接部221，及显露在该壳体21外的一个连接部222。借此，使该导体23在同时接触任两个导接部221的一个通路位置与不同时接触任两个导接部221的一个断路位置间滚动，而能够分别沿一 X轴方向或沿一 Y轴方向达到多方向开、关的目的。然而，显露在该壳体21外的连接部222，同样会增加该滚珠开关2整体的高度，及占用的空间，而呈长条状的导电端子22能够焊接的面积较小，且因为只有单向突出该壳体21，所以也只能沿一 Z轴方向焊接。参阅图1、图2，值得一提的是，所述滚珠开关1、2的壳体11、21分别包含相互对合的一个壳座111、211，及一个壳盖112、212，主要是通过一个熔接工具以超音波震荡的方式，使形成在该壳盖112、212的一个材料榫(图未示)因为磨擦生热而产生热融现象，进而融接为一体。然而，随着科技的发达，电子元件的设计已朝向精密化与微小化发展，因此，若滚珠开关1、2的尺寸极小，且为了避免熔接前因为接触面积过大，而产生溢胶等影响美观性与变形的状况，所述材料榫的材料也会缩小，因此，在只有一个材料榫的情形下，很容易因为射出成型时的缺陷或熔接面积不足，而影响固结强度与密封效果，相对来说，也无法达到防水的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够缩减整体占用的空间，及缩减整体高度的多向性倾斜开关。本专利技术的多向性倾斜开关，包含一个壳体、数个导电端子，及至少一个导体。该壳体具有界定出一个容室的一个内表面，及形成在壳体外表面的至少两个凹槽。所述导电端子分别具有插置且隐藏在该凹槽内的一个嵌置部、穿置在该容室内的一个导接部，及形成在反向于该导接部的一面且通过该凹槽显露在该壳体外的一个第一接着面，所述导电端子的导接部呈阵列排列。该导体容置在该容室内，在与任两个导接部接触的一个第一位置，及不同时接触任两个导接部的一个第二位置间移动。本专利技术的多向性倾斜开关中，所述导电端子分别沿一 Z轴方向穿置于该壳体，且所述导接部分别相隔一个间距，且沿该Z轴方向的高度大于容室深度的1/3，该导体的最大径宽大于所述间距。本专利技术的多向性倾斜开关中，所述凹槽分别沿一 Z轴方向延伸有一个深度，且沿一与该Z轴方向垂直的X轴方向延伸，所述导电端子的嵌置部分别沿该X轴方向延伸，且于同一 X轴方向上的所述嵌置部的长度总合大于壳体长度的1/2。本专利技术的多向性倾斜开关中，所述导电端子还分别具有形成在一侧且通过该凹槽显露在该壳体外的一个第二接着面。本专利技术的多向性倾斜开关中，该第一接着面与该壳体外表面之间的间距，以及该第二接着面与该壳体外表面之间的间距界于O?1mm。本专利技术的多向性倾斜开关中，所述导电端子还分别具有形成在该第一接着面的一个凹穴。本专利技术的多向性倾斜开关中，该壳体还具有形成在该内表面且位于所述导电端子导接部间的一个凹部，使该导体受限于该凹部而稳定于该第二位置。本专利技术的多向性倾斜开关中，该壳体具有沿一 Z轴方向相互对合且界定出该容室的一个壳座与一个壳盖、形成在该壳座与该壳盖间且环绕该Z轴的一个第一熔接部、垂直该Z轴方向且形成在该第一熔接部一端侧的至少一个第二熔接部，及形成在该第一熔接部一周侧的至少一个第三熔接部。本专利技术的多向性倾斜开关中，该壳座具有环绕该Z轴的一个环壁，该环壁具有环绕该Z轴且构成该第一熔接部一部分的一个内表面部、垂直该Z轴方向且构成该第二熔接部一部分的至少一个阶面，及垂直该Z轴方向且构成该第三熔接部一部分的一个端面。本专利技术的多向性倾斜开关中，该壳盖具有沿该Z轴方向突出的一个凸部、环绕该Z轴形成在该凸部外表面的一个熔接周面、形成在该凸部一端面的一个熔接端面，及围绕该凸部的一个环缘，该环缘与该壳座的端面熔接，而共同构成该第三熔接部，该熔接周面与该壳座的内表面部熔接，而共同构成该第一熔接部，该熔接端面与该壳座的阶面熔接，而共同构成该第二熔接部。本专利技术的有益效果在于:利用隐藏式的嵌置部及显露的第一接着面与第二接着面，在不影响导接面积的情形下，缩减整体的高度及占用的空间，进而提升空间效益。【附图说明】图1是一立体分解图，说明中国台湾专利第1310951号案；图2是一立体分解图，说明中国台湾专利第1239025号案；图3是一立体分解图，说明本专利技术一多向性倾斜开关的较佳实施例；图4是该较佳实施例的组合立体图；图5是该较佳实施例熔接前的局部放大示意图；图6是该较佳实施例熔接后的剖视图；图7是该较佳实施例熔接后的局部放大示意图；图8是一剖视图，说明该较佳实施例中一导体位于一第二位置而形成断路；图9是一剖视图，说明该较佳实施例沿一 Y轴方向倾斜且该导体位于一第一位置而与X轴方向排列的二导电端子接触 '及图10是一剖视图，说明该较佳实施例沿一 X轴方向倾斜且该导体位于该第一位置而与Y轴方向排列的二导电端子接触。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。参阅图3、图4，及图5，本专利技术多向性倾斜开关的较佳实施例包含一个壳体3、四个导电端子4，及一个导体5。该壳体3具有沿一 Z轴方向相互对合的一个壳座31与一个壳盖32，且分别由一个内表面界定出一个容室30。该壳座31具有环绕该Z轴的环壁，该环壁具有环绕该Z轴的一个内表面部316、垂直该Z轴方向的一个阶面311,及形成在一端且朝向该壳盖32的一个端面314。该壳座31还具有沿一个X-Y平面形成在内表面的一个凹部312、形成在该阶面311上且呈对角分布的四个熔结部313，及形成在外表面且分别沿一 X轴方向延伸，并沿该Z轴方向延伸有一个深度的四个凹槽315。该壳盖32具有沿该Z轴方向突出的一个凸部321、环绕该Z轴形成在该凸部321外表面的一个熔接周面322、形成在该凸部321 —端面且朝向该壳座31的一个熔接端面323，及围绕该凸部321的一个环缘324。所述导电端子4分别呈薄片状，分别具有沿该Z轴方向插置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多向性倾斜开关，其特征在于包含：一个壳体，具有界定出一个容室的一个内表面，及形成在壳体外表面的至少两个凹槽；数个导电端子，分别具有插置且隐藏在该凹槽内的一个嵌置部、穿置在该容室内的一个导接部，及形成在反向于该导接部的一面且通过该凹槽显露在该壳体外的一个第一接着面，所述导电端子的导接部呈阵列排列；及至少一个导体，容置在该容室内，在与任两个导接部接触的一个第一位置，及不同时接触任两个导接部的一个第二位置间移动。

【技术特征摘要】
1.一种多向性倾斜开关，其特征在于包含: 一个壳体，具有界定出一个容室的一个内表面，及形成在壳体外表面的至少两个凹槽； 数个导电端子，分别具有插置且隐藏在该凹槽内的一个嵌置部、穿置在该容室内的一个导接部，及形成在反向于该导接部的一面且通过该凹槽显露在该壳体外的一个第一接着面，所述导电端子的导接部呈阵列排列；及 至少一个导体，容置在该容室内，在与任两个导接部接触的一个第一位置，及不同时接触任两个导接部的一个第二位置间移动。2.根据权利要求1所述的多向性倾斜开关，其特征在于:所述导电端子分别沿一Z轴方向穿置于该壳体，且所述导接部分别相隔一个间距，及沿该Z轴方向的高度大于容室深度的1/3，该导体的最大径宽大于所述间距。3.根据权利要求1所述的多向性倾斜开关，其特征在于:所述凹槽分别沿一Z轴方向延伸有一个深度，且沿一与该Z轴方向垂直的X轴方向延伸，所述导电端子的嵌置部分别沿该X轴方向延伸，且于同一 X轴方向上所述嵌置部的长度总合大于壳体长度的1/2。4.根据权利要求1所述的多向性倾斜开关，其特征在于:所述导电端子还分别具有形成在一侧且通过该凹槽显露在该壳体外的一个第二接着面。5.根据权利要求4所述的多向性倾斜开关,其特征在于:该第一接着面与该壳体外表面之间的间距，以及该第二接着面与该壳体外表面之间的间距都介于O?Imm之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：周添铭，
申请(专利权)人：大日科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：