【技术实现步骤摘要】
—种容量为64MX32bit的立体封装DDR1存储器【
】本技术涉及存储设备,尤其涉及一种容量为64MX32bit的立体封装DDRl存储器。【
技术介绍
】目前,很多印刷电路板(PCB)上都需要装有DDRl芯片(DDR1:双速率动态随机数据存储器),由于每一 DDRl存储芯片的容量有限,如果在某一应用是要使用很大的DDRl存储空间,那么就要扩充印刷电路板的面积,然后在上面贴置多个DDRl芯片。由于在一些特定场所,对某些使用印刷电路板的设备所占用的平面空间有一定的限制,可能就需要降低印刷电路板的平面面积;这样的话,相对较难地扩充DDRl印刷电路板(PCB)上的存储空间。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种容量为64MX32bit的立体封装DDRl存储器,其能相对降低占用印刷电路板的平面空间。上述技术问题通过以下技术方案实现:一种容量为64MX 32bit的立体封装DDRl存储器,包括两个容量为64MX 16bit的DDRl芯片,其特征在于,还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,两个DDRl芯片分别一一对应地设置在两个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和两`个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。两个DDRl芯片的写信号线、CK时钟、CKE时钟使能信号、BA块选择信号、RAS行地址锁存、CAS列地址锁存分别对应复合,两个DDRl ...
【技术保护点】
一种容量为64M×32bit的立体封装DDR1存储器,包括两个容量为64M×16bit的DDR1芯片,其特征在于,还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,两个DDR1芯片分别一一对应地设置在两个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
【技术特征摘要】
1.一种容量为64MX 32bit的立体封装DDRl存储器,包括两个容量为64MX 16bit的DDRl芯片,其特征在于,还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,两个DDRl芯片分别一一对应地设置在两个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:王烈洋,黄小虎,蒋晓华,颜军,
申请(专利权)人:珠海欧比特控制工程股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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