一种全抛釉瓷质砖及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种全抛釉瓷质砖及其制备方法，包括坯体及其表面的面釉，面釉上层施有全抛釉，其特征在于，面釉的化学成分组成含量为：Al2O3（13-15）%、SiO2（60-63）%、B2O3（0.9-1.1）%、CaO（0.7-0.9）%、MgO（13-14）%、ZnO（1.3-1.5）%、K2O（1.3-1.45）%、Na2O（1.4-1.45）%、ZrO2（1.38-1.45）%、其它（3-4）%；全抛釉的化学成分组成含量为：Al2O3（19-22）%、SiO2（49-51）%、B2O3（0.2-0.3）%、CaO（16-18）%、MgO（1.4-1.5）%、K2O（1.5-1.8）%、Na2O（2.5-2.7）%、其它（6-7）%。本发明专利技术提出了一种工艺简单成本低廉的陶瓷砖淋釉技术，产品表面光泽度高、釉层通透、图案清晰、防污效果好，质量优等品率明显提高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括坯体及其表面的面釉，面釉上层施有全抛釉，其特征在于，面釉的化学成分组成含量为：Al2O3（13-15）%、SiO2（60-63）%、B2O3（0.9-1.1）%、CaO（0.7-0.9）%、MgO（13-14）%、ZnO（1.3-1.5）%、K2O（1.3-1.45）%、Na2O（1.4-1.45）%、ZrO2（1.38-1.45）%、其它（3-4）%；全抛釉的化学成分组成含量为：Al2O3（19-22）%、SiO2（49-51）%、B2O3（0.2-0.3）%、CaO（16-18）%、MgO（1.4-1.5）%、K2O（1.5-1.8）%、Na2O（2.5-2.7）%、其它（6-7）%。本专利技术提出了一种工艺简单成本低廉的陶瓷砖淋釉技术，产品表面光泽度高、釉层通透、图案清晰、防污效果好，质量优等品率明显提高。【专利说明】
本专利技术涉及瓷质砖生产
，尤其是涉及。
技术介绍
全抛釉是一种可以在釉面进行抛光工序的一种特殊配方釉，它是施于仿古砖的最后一道釉料，全抛釉瓷质砖能较好的实现瓷砖的物理性能和装饰性能，结合仿古砖和抛光砖的优点于一身，釉面如抛光砖般光滑亮洁，同时其釉面花色如仿古砖般图案丰富，色彩厚重或绚丽。中国陶瓷历经30余年发展，瓷砖致密度高，耐磨，容易打理，从它的物理性能来看，已经大大地超过天然石材，但在全抛釉工艺出现之前，瓷砖整体装饰功能较为单调；由于全抛釉在纹理色泽实现上无可比拟的装饰性，所以从某种程度上讲，是全抛釉的出现把瓷砖的装饰性能提到了一个新的高度。传统的全抛釉瓷质砖的施釉工艺中，一般是依靠多道丝网印刷装饰全抛釉的方法，如中国专利申请号为CN201110168602.4，专利技术名称为一种全抛釉仿古砖面釉及其制备方法，其主要由以下质量百分比的原料制备而成:钠长石4-8%、钾长石9-12%、方解石12-15%、碳酸钡4-6%、氧化铝6-10%、烧滑石12-15%、氧化锌2-4 %、石英粉2-5 %、高岭土 9-13 %、硅灰石5-9 %，其余为杂质。根据所述的配方称取原料，按原料:球石:乙二醇:印油=I: 1.8-2: 0.25: 0.3进行球磨，同时控制细度为:325目筛筛余0.3-0.4%，通过100目丝网连续印刷工艺印刷到底釉、花釉层之上，最后通过液化气滚道窑烧成制度烧制。此专利虽然在釉料制作过程中加入了乙二醇和印油以尽量减少生产时粘网问题的发生，但并不能从根本上避免丝网印刷中容易粘网而在抛釉时产生“雪花”缺陷等，而且三道以上的丝网印釉工序成本高，工艺复杂，优等率偏低，平均值大概只有90~94%。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种产品表面光泽度高、釉层通透、图案清晰、防污效果好，质量优等品率高的全抛釉瓷质砖。本专利技术的另一目的是提供一种全抛釉瓷质砖的生产方法。本专利技术是采用如下技术解决方案来实现上述目的:一种全抛釉瓷质砖，包括坯体及其表面的面釉，面釉上层施有全抛釉，其特征在于，所述坯体的化学成分组成含量为:Al2O3 (18-19)%,SiO2 (68.5-70)%,Fe2O3 (0.6-0.8)%、Ca0 (0.4-0.5)%、Mg0 (0.7-0.9)%、K2O (2.6-2.8) %、Na2O (2.5-2.7) %、TiO2 (0.25-0.35) %、烧失量 1.L (4.8-4.9) % ； 面釉的化学成分组成含量为=Al2O3 (13-15)%, SiO2 (60-63)%, B2O3 (0.9-1.1) %、CaO(0.7-0.9)%、Mg0 (13-14) %、ZnO (1.3_1.5) %、K20 (1.3_1.45) %、Na20 (1.4-1.45)%, ZrO2(1.38-1.45) %、其它(3-4)% ； 全抛釉的化学成分组成含量为:A1203 ( 19-22)%、SiO2 (49-51)%、B2O3 (0.2-0.3) %、CaO (16 -18) %、MgO (1.4-1.5)%, K2O (1.5-1.8) %、Na2O (2.5-2.7) %、其它(6-7) %。作为上述方案的进一步说明，所述坯体的化学成分组成含量优选=Al2O3:18.19%、SiO2:69.29%、Fe2O3:0.72%、CaO:0.46%、MgO:0.82%、K2O:2.72%、Na2O:2.58%、TiO2:0.31%、烧失量 1.L:4.86% ； 面釉的化学成分组成含量优选=Al2O3:14.22%、SiO2:61.78%、B2O3:1.03%、CaO:0.79%、MgO:13.4%、ZnO:1.32%、K2O:1.38%、Na2O:1.43%、ZrO2:1.41%、其它 3.24% ； 全抛釉的化学成分组成含量优选=Al2O3:20.41%、SiO2:50.32%、B2O3:0.23) %、CaO:17.08%、MgO:1.46%、K2O:1.72%、Na2O:2.64%、其它 6.14%。一种全抛釉瓷质砖的生产方法，其特征在于，它包括如下步骤: a、配料，入球球磨，细度控制为250目筛余1.2-1.6%，含水量为33.5%，经过筛、除铁、喷雾造粒成粉料后，在压机下压制成型；通过220°C干燥窑烘干，烘干时间55min，烘干后的干坯进入釉线； b、喷淋面釉，经陶瓷喷墨印刷设备印花，用钟罩淋釉工艺在面釉上层施一层全抛釉后入釉烧窑烧成； C、磨边、抛光,通过磨头抛掉0.10-0.15mm厚的釉层。 在工艺步骤b的烧成过程中，全抛釉的始熔温度控制在1050±10°C，因为全抛釉始熔温度是判断釉烧窑温度曲线合理与否的重要指标之一，当全抛釉流平度很好时，就有出现针孔、毛孔的风险，因为全抛釉处于过烧范畴，气泡上浮；当全抛釉流平度变差时，产品表面会比粗糙，摸起来有手感，又会存在析晶和三角形状毛孔的风险，因为全抛釉颗粒间未完全愈合、流平。在工艺步骤b的烧成过程中，要经过升温、保温、降温阶段，产品烧成周期为55min,470°C以前是预热低温阶段，升温速度对坯体和釉面质量影响不大，可采用较快的升温速度，以55°C -65°C /min的速度完成此阶段的升温；470°C -1100°C是氧化分解阶段，此时坯体排出结构水，碳和有机物氧化，碳酸盐和硫酸盐分解，石英发生晶型转变，一方面需要大量的热，另一方面要适当放慢升温速度，此阶段升温速度控制在40°C -45°C /min，尽量加长此阶段的烧成时间；1100°C~1200°C为坯体烧结，釉层玻化阶段，坯体液相量增多，气孔被填充，发生急速收缩，升温应均匀平缓，宜用15-25°C/min的升温速度到最高烧成温度，到达1200±5°C后采用保温方式，保温时间为7-9min，1200°C _650°C由于坯体液相还处于液体状态，可进行急冷，时间为6-10min，650°C以下由于液相开始凝固，石英晶型转化，应缓冷。本专利技术采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是: 1、本专利技术改变了传统施釉工艺中依靠多道丝网印刷装饰全抛釉的方法，开发了一种工艺简单成本低廉的陶瓷砖淋釉技术，利用一个钟罩淋釉工序取代4道丝网印釉工序，减少三个生产工序，节省至少3名本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全抛釉瓷质砖，包括坯体及其表面的面釉，面釉上层施有全抛釉，其特征在于，所述坯体的化学成分组成含量为：Al2O3（18?19）%、SiO2（68.5?70）%、Fe2O3（0.6?0.8）%、CaO（0.4?0.5）%、MgO（0.7?0.9）%、K2O（2.6?2.8）%、Na2O（2.5?2.7）%、TiO2（0.25?0.35）%、烧失量I.L（4.8?4.9）%；面釉的化学成分组成含量为：Al2O3（13?15）%、SiO2（60?63）%、B2O3（0.9?1.1）%、CaO（0.7?0.9）%、MgO（13?14）%、ZnO（1.3?1.5）%、K2O（1.3?1.45）%、Na2O（1.4?1.45）%、ZrO2（1.38?1.45）%、其它（3?4）%；全抛釉的化学成分组成含量为：Al2O3（19?22）%、SiO2（49?51）%、B2O3（0.2?0.3）%、CaO（16??18）%、MgO（1.4?1.5）%、K2O（1.5?1.8）%、Na2O（2.5?2.7）%、其它（6?7）%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠宁，范伟东，钟礼丰，梁瑞益，曾凡武，孟庆娟，喻劲军，钟艳梅，
申请(专利权)人：佛山市三水新华雄陶瓷有限公司，广东金意陶陶瓷有限公司，景德镇金意陶陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：