一种指数可变增益放大电路制造技术

本发明专利技术公开了一种指数可变增益放大电路，包括PMOS管M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10，所述PMOS管M0的漏极接地，其源极与PMOS管M1、M2、M10的漏极连接，所述PMOS管M1、M2的源极分别连接PMOS管M3、M4的漏极，PMOS管M3、M4的源极分别连接PMOS管M5、M6的漏极，栅极均与PMOS管M9的栅极连接；所述PMOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10的源极均连接电阻器RVDD；其中PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的漏极相连，且PMOS管M7、M8的漏极之间串联有一输出电阻。这种指数可变增益放大电路调节范围较大，可以根据增益控制，改变输出电阻的大小，减小输入管输出阻抗对增益的影响。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种指数可变增益放大电路，其特征在于：包括PMOS管（M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10），所述PMOS管（M0）的漏极接地，其源极与PMOS管（M1、M2、M10）的漏极连接，所述PMOS管（M1、M2）的源极分别连接PMOS管（M3、M4）的漏极，PMOS管（M3、M4）的源极分别连接PMOS管（M5、M6）的漏极，栅极均与PMOS管（M9）的栅极连接；所述PMOS管（M5、M6?、M7、M8、?M9、M10）的源极均连接电阻器（RVDD）；其中PMOS管（M7）的漏极与PMOS管（M8）的漏极相连，且PMOS管（M7、M8）的漏极之间串联有一输出电阻（1）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：苏州苏尔达信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：