用于自调节处理系统的设备和方法技术方案

本文公开了一种用于自动地调整处理系统从空转模式恢复到正常操作模式的恢复时间，以便改善资源利用(如，能量消耗)效率的方法和设备。该处理系统可为用于半导体制造的系统，且包括由辅助装置(如，真空泵或消除装置)支持的处理工具。参数的数目可控制成调整辅助装置的恢复时间。在各个恢复循环结束时，那些参数中的一个或多个可基于测量到的实际恢复时间与预定的目标恢复时间之间的比较增大或减小。因此，实际测量到的恢复时间可逐渐地与预定的目标恢复时间会合，从而优化处理系统的资源利用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本文公开了一种用于自动地调整处理系统从空转模式恢复到正常操作模式的恢复时间，以便改善资源利用(如，能量消耗)效率的方法和设备。该处理系统可为用于半导体制造的系统，且包括由辅助装置(如，真空泵或消除装置)支持的处理工具。参数的数目可控制成调整辅助装置的恢复时间。在各个恢复循环结束时，那些参数中的一个或多个可基于测量到的实际恢复时间与预定的目标恢复时间之间的比较增大或减小。因此，实际测量到的恢复时间可逐渐地与预定的目标恢复时间会合，从而优化处理系统的资源利用。【专利说明】
本专利技术大体上涉及用于自调节处理系统以便改善处理系统的资源利用(如，能量消耗)效率的设备和方法。
技术介绍
用于制造半导体装置的处理系统除其它外通常包括处理工具、真空泵，以及消除装置。处理工具提供处理室，半导体晶片在处理室中被处理成预定的结构。例如，可执行化学气相沉积，以在处理室中的半导体晶片上形成氧化层。在另一个实例中，处理工具可包括处理室，氧化层在处理室中还被蚀刻成预定的图案。在操作中，处理室需要处于真空条件下，以确保半导体处理步骤不因存在不需要的化学制品或杂质受到危害。真空泵用于抽空处理室，以使其达到期望的真空条件。取决于处理要求，可选择性地串联连接一个或多个真空泵。例如，可串联连接以不同压力水平操作的增压泵和前级泵，以实现期望的泵送性能。不管所使用的真空泵的数目，泵的入口或泵的组件连接到处理室上，使得可将气体从处理室中抽出。在典型的处理系统中，泵的出口和泵的组件可连接到消除装置上，在将排放气体释放到环境中之前，消除装置处理从处理室中抽出的危险的排放气体。例如，消除装置可为以金属有机化学气相沉积工艺使用水来吸收从处理室中抽出的气态氨的湿式洗涤器。在另一个实例中，消除装置可为基于燃烧的设备，在该设备中，气态氨通过与气态氢反应来分解。所期望的是，管理和减少在半导体制造过程期间由真空泵和消除装置消耗的资源，如，电力、燃料和水。由真空泵和消除装置消耗的功率代表了在制造半导体晶片中由处理系统消耗的总功率的重要部分。已经在半导体行业中进行了许多努力，以改善真空泵和消除装置的资源利用效率，以便降低半导体晶片的制造成本。一种用于改善资源利用效率的常规方法为，当处理工具不需要真空泵和消除装置以其正常能力操作时，使真空泵和消除装置投入空转模式。例如，当半导体晶片正被传递到处理室中或从处理室中传递出时，可使真空泵和消除装置投入空转模式，在该模式下，它们消耗比它们在正常操作中消耗的更少的资源，而不影响产量。当处理工具需要真空泵和消除装置以其正常能力操作时，可使它们从空转模式回到其正常操作模式。因此，实现了资源节约，而不危害处理工具的性能和产量。空转模式在各种情景下可被不同的人称为睡眠模式、绿色模式、休眠模式、减少能量/低能量模式。将注意到的是，在本公开内容中，空转模式用于表示具有如上文所论述的意义的所有这些模式。该常规方法的一个缺陷在于其不能够准确地控制真空泵和/或消除装置从空转模式恢复的时机。例如，用于使真空泵的温度从空转速度下的温度增加到正常速度下的温度的恢复时间可比由处理工具给定的通知周期更长，从而导致开始处理的延迟和处理工具的未充分利用。常规方法的另一个缺陷为其对处理系统的变化的条件的适应的不灵活。例如，在常规方法中，真空泵的恢复时间最初设定为预定值，该预定值接近于真空泵需要用以从空转模式恢复到正常操作模式的实际时间。然而，在多次操作循环之后，可能存在真空系统的性能的损失，且因此真空泵从空转模式恢复到正常操作模式所需的时间变得比最初的设定值更长。由于常规方法不可适应处理系统的变化的条件，故预设的恢复时间在一定时间内可变得不准确。因此，所需的是用于根据处理系统的变化的条件调整处理系统的恢复时间，以改善处理系统的资源利用效率的方法和设备。
技术实现思路
本专利技术针对一种用于根据处理系统的变化的条件调整处理系统的恢复时间，以改善处理系统的资源利用效率的方法和设备。在本专利技术的一些实施例中，该方法包括设定目标恢复时间、辅助装置在正常操作模式下所处的第一参数的目标值，以及辅助装置在空转模式下所处的第二参数的初始空转值；响应于空转命令，将第二参数从辅助装置在正常操作模式下所处的正常值调整到初始空转值；响应于恢复命令，将第二参数从初始空转值调整到正常值；以及，基于测量到的恢复时间与目标恢复时间之间的差异调整初始空转值，测量到的恢复时间限定为第一参数从辅助装置在空转模式下所处的值回到目标值的时间周期。然而，当结合所附附图阅读时，将从具体实施例的以下描述中更好地理解到本专利技术的结构和操作方法，以及其附加的目标和优点。【专利附图】【附图说明】图1示出了根据本专利技术的一些实施例的处理系统的功能框图。图2示出了时间表，该时间表示出了根据本专利技术的一些实施例的处理系统从空转模式恢复到正常操作模式。图3示出了流程图，该流程图示出了用于自调节根据本专利技术的一些实施例的处理系统的恢复时间的方法。图4示出了功能框图，该功能框图示出了实施根据本专利技术的一些实施例的自调节方法的示例性设备。【具体实施方式】本专利技术针对一种用于调整处理系统从空转模式恢复到正常操作模式的恢复时间，以便改善资源利用效率的方法和设备。该处理系统可为用于半导体制造的系统，且包括由辅助装置(如，真空泵或消除装置)支承的处理工具。可控制参数的数目，以调整辅助装置的恢复时间。在各个恢复循环结束时，可基于测量到的实际恢复时间与预定的目标恢复时间之间的比较增大或减小那些参数中的一个或多个。因而，实际测量到的恢复时间可逐渐与预定的目标恢复时间会合，从而优化处理系统的资源利用。图1示出了处理系统100，在该处理系统中，可根据本专利技术的一些实施例实施所公开的方法和设备。处理系统100包括由辅助装置支承的处理工具102，该辅助装置可为真空泵104、消除装置106，或它们的组合。处理工具102可包括处理室，在该处理室中，半导体晶片可放置和处理成期望的结构。例如，处理工具102可执行化学气相沉积工艺，以在处理室中的半导体晶片上形成较薄的材料层。作为另一个实例，处理工具102可执行蚀刻工艺，以将半导体晶片蚀刻成某些图案。不管处理工具102的功能，常见的是，各种气体在其处于操作中时穿过工具的处理室。真空泵104流体地连接到处理工具102上，以用于从处理室中抽出排放气体，且确保处理室的内部压力维持在期望的水平。消除装置106与真空泵104流体连接，以用于处理来自真空泵104的流出气体，使得流出气体中的有毒的、危险的或自燃物质可在释放到环境中之前分解成较少伤害和对环境更友好的化合物。在图1中，真空泵104示出为在处理工具102的下游，而消除装置106示出为在真空泵104的下游。在本专利技术的备选实施例中，消除装置可连接在处理工具与真空泵之间，使得真空泵将放置于在消除装置的下游。在一些其它备选实施例中，可完全省略消除装置。处理系统100构造成用以在正常操作模式与空转模式之间切换。在正常操作模式中，辅助装置(如，真空泵104和/或消除装置106)以其正常能力操作，以支持处理工具102。当处理工具102可容忍辅助装置以比正常能力低的能力运行时，可响应于可由处理工具102发出的空转命令使辅助装置投入空转模式，在该模式中，辅助装置消耗较少的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：GR舍利，
申请(专利权)人：爱德华兹有限公司，
类型：
国别省市：