电子器件的生产管理装置及生产管理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供电子器件的生产管理装置及生产管理系统。该生产管理装置使用将电子器件的构成要素的制造条件值与制造的构成要素的特性相互关联起来的数据库，生成模型函数，决定第1制造条件值。使用利用决定的第1制造条件值实际形成构成要素时的特性的测定值，计算平方预测误差。在平方预测误差大于基准值时，不修正模型函数而将第1制造条件值作为接下来的电子器件的第2制造条件值。在平方预测误差小于等于基准值时，使用追加了实际形成时的值的数据库来生成第2模型函数，根据第2模型函数决定第2制造条件值。

【技术实现步骤摘要】
电子器件的生产管理装置及生产管理系统关联申请本申请以2012年6月13日申请的在先日本国专利申请第2012-134282号的优先权为基础，而且要求该优先权，通过引用而包含其全部内容。
本专利技术涉及电子器件的生产管理装置及生产管理系统。
技术介绍
在半导体存储器件等电子器件的制造中，以高的精度来管理例如膜厚等特性是重要的。特别是存储器容量在每个世代都依次增大的半导体存储器件中，随着存储器容量的增大，膜厚等目标规格也依次变化，管理项目的管理精度变得严格。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供效率好地以高精度来管理管理项目的电子器件的生产管理装置及生产管理系统。根据本专利技术的实施方式，提供电子器件的生产管理装置。本装置实施如下处理：使用第1数据库生成第1模型函数的处理，其中，上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包含使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性相互关联起来保存，上述第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关，上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值。本装置还实施如下处理：根据上述第1模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值。本装置还实施如下处理：：使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值，计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差。本装置实施如下处理：在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时，不修正上述模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值，在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时，使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数，根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值。根据本专利技术的其他实施方式，提供具备电子器件的生产管理装置和构成要素形成装置的电子器件的生产管理系统。上述电子器件的生产管理装置实施如下处理：使用第1数据库生成第1模型函数的处理，其中，上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包含使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性，相互关联起来保存，第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关，上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值；根据上述第1模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值的处理；使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值，计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差的处理；及在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时，不修正上述模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值，在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时，使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数，根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值的处理；上述构成要素形成装置形成上述电子器件中所含的上述构成要素。根据本专利技术的另一其他实施方式，提供电子器件的生产管理装置。本装置具备如下单元：使用第1数据库生成第1模型函数的单元，上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包括使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性相互关联起来保存，上述第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关，上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值；根据上述第1模型函数，决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值的单元；使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值，计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差；及在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时，不修正上述第1模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值，在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时，使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数，根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值的单元。根据上述的构成，在电子器件的生产中，能效率好地以高精度来管理管理项目。附图说明图1A乃至图1C是例示出第1实施方式涉及的电子器件的生产管理系统的构成的示意图。图2是示意性地例示出第1实施方式涉及的电子器件的生产管理系统中使用的数据库的示意图。图3是例示出第1实施方式涉及的电子器件的生产管理系统的流程图。图4是例示出第1实施方式涉及的电子器件的生产管理系统的流程图。图5是例示出第1实施方式涉及的电子器件的其他生产管理系统的流程图。图6是示意性地例示出第2实施方式涉及的电子器件的生产管理系统中使用的数据库的示意图。图7是例示出第2实施方式涉及的电子器件的生产管理系统的流程图。图8是示意性地例示出第2实施方式涉及的电子器件的生产管理系统中使用的数据库的示意图。具体实施方式以下，对于多个实施方式一边参照附图一边进行说明。在附图中，同一符号表示同一或类似的部分。本实施方式涉及例如半导体存储器件、微机电元件（MEMS：MicroElectroMechanicalSystems）等电子器件的生产管理装置、生产管理系统、生产管理程序及生产管理方法。以下，本实施方式作为半导体存储器件的生产中使用的情况进行说明。例如，实施方式应用于半导体存储器件的绝缘膜等（例如硅氧化膜、硅氮化膜等）的形成工序。该绝缘膜例如成为半导体存储器件的存储部。半导体存储器件的存储状态很大程度上依存于绝缘膜的膜厚、尺寸，所以要求用高的精度来管理这些值。在实施方式中，作为电子器件（例如上述的半导体存储器件）中所含的构成要素（例如上述的绝缘膜）的特性Y使用如下特性：包含与构成要素（绝缘膜）的厚度有关的值（膜厚）及与尺寸有关的值（线宽等）中的至少一个的特性。特性Y依存于成膜条件、加工条件等制造条件值X。制造条件值X成为生产工序的管理项目。以下，对例如通过LP-CVD（LowPressureChemicalVaporDeposition：减压化学气相生长）形成绝缘膜的工序中，使用本实施方式涉及的生产管理装置、生产管理系统、生产管理程序及生产管理方法的例子，进行说明。图1A～图1C是例示出第1实施方式涉及的电子器件的生产管理系统的构成的示意图。如图1A所示，本实施方式涉及的生产管理系统200包括生产管理装置201和制造装置。在生产管理装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子器件的生产管理装置，实施如下处理：使用第1数据库生成第1模型函数的处理，其中，上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包含使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性相互关联起来保存，上述第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关，上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值；根据上述第1模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值的处理；使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值，计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差的处理；及在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时，不修正上述第1模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值，在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时，使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数，根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值的处理。...

【技术特征摘要】
2012.06.13 JP 2012-1342821.电子器件的生产管理装置，实施如下处理：使用第1数据库生成第1模型函数的处理，其中，上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包含使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性相互关联起来保存，上述第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关，上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值；根据上述第1模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值的处理；使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值，计算上述特性的测定值的相对于上述第1模型函数的平方预测误差的处理；及在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时，不修正上述第1模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值，在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时，使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数，根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值的处理，在变更上述电子器件的规格时，还实施如下处理：使与上述规格的变更相伴随的上述构成要素的上述特性的变化加以反映地、通过比例运算来变换上述第1数据库的值，生成虚拟数据库。2.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，还实施如下处理：使用上述虚拟数据库，生成与上述构成要素的特性相对于下一世代邻近条件值的关系有关的下一世代模型函数的处理，其中，上述下一世代邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的下一世代处理条件值和与上述下一世代处理条件值接近的多个处理条件值；根据上述下一世代模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的下一世代制造条件值的处理；使用上述决定的上述下一世代制造条件值来实际形成上述电子器件的上述构成要素的处理；及将上述实际形成时的上述下一世代制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值追加到上述虚拟数据库中，删除上述虚拟数据库的值之中与上述下一世代制造条件值最接近的制造条件值和与上述最接近的制造条件值相对应的上述构成要素的上述特性的值的组合的处理。3.根据权利要求2记载的电子器件的生产管理装置，删除上述制造条件值和上述特性的值的组合的上述处理，将包含上述第1数据库、上述虚拟数据库和新得到的下一世代测定数据在内的全体的数据库的值作为基准空间使用，计算上述基准空间的模型函数，对上述模型函数计算上述虚拟数据库的上述平方预测误差，删除上述虚拟数据库之中计算出的上述平方预测误差最大的数据，取代削除的数据而追加实际的测定数据。4.根据权利要求3记载的电子器件的生产管理装置，还实施如下处理：计算上述实际的测定数据的群的重心，在上述重心的位置，使上述虚拟数据库的重心平行移动。5.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，能与形成上述电子器件中所含的上述构成要素的形成装置进行通信。6.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，能与测定上述特性的测定装置进行通信。7.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，上述构成要素包括绝缘膜。8.根据权利要求7记载的电子器件的生产管理装置，上述制造条件值至少包括成膜时的温度和处理室的压力。9.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，决定上述第1制造条件值的上述处理，使用上述第1模型函数，通过逆矩阵运算，计算上述制造条件值，将计算出的上述制造条件值决定为上述第1制造条件值。10.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，还具备如下处理：计算上述平方预测误差的上述处理，使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值，计算上述特性的测定值的相对于上述第1模型函数的T2值的处理，计算上述平方预测误差和上述T2值之中的至少一个，上述T2值对应于标准化的空间内的距离原点的距离。11.根据权利要求10记载的电子器件的生产管理装置，决定上述第2制造条件值的上述处理，在上述计算出的上述T2值大于预先设定的基准值时，不修正上述模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值，在上述计算出的上述T2值小于等于上述基准值时，使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数，根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值。12.根据权利要求1记载的电子器件的生产管理装置，在将上述制造条件值设为X，将上述特性设为Y，将上述制造条件值的系数设为a时，用Y＝a·X表示上述第1模型函数。13.根据权利要求1记...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄琳婷，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：