一种显示装置包括金属层、共用电极、像素电极、液晶层以及保护层。该共用电极位于该金属层之上。该像素电极位于该共用电极之上。该液晶层位于该像素电极与该共用电极之上。该保护层位于该金属层与该共用电极之间，且该保护层的材料包括有色半透明材料或透明高分子材料。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种显示装置包括金属层、共用电极、像素电极、液晶层以及保护层。该共用电极位于该金属层之上。该像素电极位于该共用电极之上。该液晶层位于该像素电极与该共用电极之上。该保护层位于该金属层与该共用电极之间，且该保护层的材料包括有色半透明材料或透明高分子材料。【专利说明】显示装置
本专利技术涉及一种显示装置，特别是一种具有提升像素开口率的液晶显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术持续更广泛、深入和迅速的发展，目前液晶显示器(liquidcrystal display，IXD)已几乎压倒性地占据所有的主要显示器市场，例如计算机的监视器、行动电话、电视机、笔记本电脑、平板个人电脑(Tablet PC)、全球卫星定位系统(GPS)装置、可携式影像播放器等。在液晶显示器中，液晶扮演着光阀的角色，在液晶显示器的每一像素中，于即时显示时间内，控制光的穿透及光的阻绝。从液晶的控制机制的角度来看，液晶显示器可分为垂直配相(vertical alignment, VA)和平面切换(plane switching)两种类型。VA的类型可以进一步划分为若干子类型。一般来说，VA型IXD具有非常快的液晶响应时间，特别适合用于显示有快速移动的动态影像。然而，当使用者用手指或其它物体按压液晶显示屏时，漩涡形图纹会出现在液晶显示屏上被按压的地方，这种现象是因为按压显示屏会使得液晶垂直配相的间隔被缩短。从这方面来看，由于触摸面板显示屏会经常被使用者的手指触碰和按压，在任何被触碰的地方的显示画面都会变得模糊，所以VA型的液晶显示器不适合用于触控面板(touch panel)显示器。另一方面，平面切换型液晶显示器，包括平面内切换(in-plane switching, IPS)型和边缘电场切换(fringe filed switching, FFS)型的液晶显示器,则没有这种问题,此是由于其中的液晶排列发生在平面(水平)方向，而不是在垂直的方向，所以能提供触控面板显示器良好性能，而成为 触控面板显示器的主要技术。在各种液晶显示装置市场中，又以智能型行动装置的市场成长最快，智能型行动装置包括智能型行动电话、便携式触控板等，几乎都具备触控功能，以提供智能型的内容与操控。在智能型行动电话(smart phone,例如iPhone或Android系统下的智能型行动电话等)及便携式触控板(例如iPad或Android系统下的便携式触控板等)市场的高速成长的带动下，高解析度显示屏幕的需求也急速增加，目前除了 WVGA(480X800)产品外，qHD(540X960)与HD(720X 1280)的产品与技术也将相继开发出。便携式产品除了搭配高解析度外，广视角的需求也逐步提高，因此遇到高密度像素(即高PPI，PixelPer Inch,即每一英寸中具有高像素数目)时，便会产生像素开口率(Pixel aperture rate，或简称Pixel AR)下降的问题。针对上述问题，专利技术人经深入研究分析，及无数次实验及改良，终于开发出崭新的面板，可以在高PPI时，仍能提升开口率，有效解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示装置，其包括:金属层；共用电极，位于所述金属层之上；像素电极，位于所述共用电极之上；液晶层，位于所述像素电极与所述共用电极之上；以及保护层，位于所述金属层与所述共用电极之间，所述保护层的材料包括有色半透明材料或透明高分子材料。本专利技术另提供一种显示装置，其包括:共用电极；像素电极，位于所述共用电极之上；液晶层，位于所述像素电极与所述共用电极之上；以及钝化层，位于所述像素电极与所述共用电极之间，所述钝化层的材料包括有色半透明材料或透明高分子材料。本专利技术还提供一种显示装置，其包括:共用电极；像素电极，位于所述共用电极之上，且具有多个第一狭缝，其中所述多个第一狭缝的每一个的宽度与所述多个第一狭缝中相邻两个的间隔的比值介于0.55至1.35之间；以及液晶层，位于所述像素电极与所述共用电极之上。【专利附图】【附图说明】本专利技术上述及其它的特征及优点将经由以下的叙述，以具体实施案例的方式，并参酌以下附随的附图而释明，其中:图1A展示了本专利技术实施例中的显示装置的俯视图；图1B展示了图1A中的显示装置沿着A-A切线的侧面剖面示意图；图2A显示了本专利技术另一实施例中的显示装置的俯视图；图2B仅单独显示了图2A中的像素电极；以及图2C仅单独显示了图2A中的共用电极。【具体实施方式】 请参考图1A及图1B，图1A展示了本专利技术实施例中的显示装置的俯视图，图1B则展示了图1A中的显示装置沿着A-A切线的侧面剖面示意图。在图1A及图1B中，显示装置10包括共用电极11、像素电极12、液晶层17和钝化层16等，其中像素电极12位于共用电极11之上，液晶层17则位于像素电极12和共用电极11之上。共用电极11和像素电极12的材料可选用透明导电材料，例如氧化铟锡(tin indium oxide,简称ITO)。由于液晶层17中的液晶数量非常多，为了清楚显示，故不显示其中的液晶。显示装置10可以是平面切换类型的显示器，例如为IPS或FFS型液晶显示器。图1A及图1B中的显示装置10还可以选择性地包括数据线(data line) 13、闸线(gate line) 14、薄膜晶体管(thin film transistor) 15、下基板 101、上基板 102、间隔物(spacer) 103、黑色矩阵层104、彩色滤光层18a和18b、透明导电层19等。请参考图1B，其中Ml层,本领域一般称第一金属层，因为其为第一层被镀上的金属层，Ml层经光刻工艺可形成图1A中的闸线14 ;在]?1层之上有3层，统称L3层，其构成薄膜晶体管15中的半导体层及绝缘层的结构；在L3层上方有M2层，本领域一般称第二金属层，其经光刻工艺可形成图1A中的数据线13和图1B中标示M2的薄膜晶体管15中的源极和漏极的结构。在本实施例中，由于像素电极12位于共用电极11的上方，所以离下方的M2层所形成的数据线13较远，故较不易受其电性干扰，而可以扩大像素电极12的面积，从图1A的俯视图可看出，像素电极12的轮廓的投影非常靠近数据线13，由于数据线13为M2层所形成，所以不透光。故当透光的像素电极12的面积扩大而接近数据线13时，将使得像素的开口率增加至接近极限，而特别适用于高PPI的超精细分辨率的高阶显示装置，例如iPhone等。故本实施例的显示装置能有效提升像素的开口率。在本实施例中，共用电极11的投影覆盖部分的数据线13、闸线14及薄膜晶体管15，如图1A所示，也就是共用电极11也向外扩大面积。此时，共用电极11可具有屏蔽(shielding)的效果，使得像素电极12不会受到数据线13、闸线14和薄膜晶体管15等的电容偶合效应的影响，而产生干扰光纹(mura)。另一方面，在另一实施例中，共用电极11的投影可覆盖部分的数据线13及薄膜晶体管15，而不覆盖闸线14，以降低共用电极11的负载(RC loading)。在图1B所示的实施例中，液晶存在于由间隔物103所支撑而形成的液晶层17中；间隔物103位于黑色矩阵层104的正下方，所以不会产生漏光；在第二基板102与透明导电层19之间，可选本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：金属层；共用电极，位于所述金属层之上；像素电极，位于所述共用电极之上；液晶层，位于所述像素电极与所述共用电极之上；以及保护层，位于所述金属层与所述共用电极之间，所述保护层的材料包括有色半透明材料或透明高分子材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：游家华，林松君，刘轩辰，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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