本发明专利技术提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。【专利说明】力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块
本专利技术涉及感知自身的剥离的力学量测定装置、半导体装置以及剥离感知装置和搭载有它们的模块。
技术介绍
力学量测定装置能够粘贴在被测定物上，从而间接地测定作用于被测定物的力学量。作为该力学量测定装置，提出了应用依赖于变形而电阻产生变化的效果(压电电阻效应)的应变传感器芯片。在该应变传感器芯片(力学量测定装置)的表面形成杂质扩散电阻，应变传感器芯片(力学量测定装置)通过粘结剂而粘贴于被测定物。对被测定物作用力学量，若被测定物产生变形，则经由粘结剂，杂质扩散电阻产生变形，由于电阻变化，因此能够感知作用于被测定物的力学量(变形)。由于粘结剂将被测定物的变形传递到力学量测定装置的杂质扩散电阻，因此，此时粘结剂自身也变形。由此，考虑到粘着力变弱，应变传感器芯片(力学量测定装置)从被测定物剥离的情况。若应变 传感器芯片(力学量测定装置)剥离，则认为被测定物的变形不能充分传递到应变传感器芯片(力学量测定装置)，因此不能正确地进行测定。在此，提出以下方案:为了感知有无剥离，独立于用于测定作用于被测定物的力学量的杂质扩散电阻，在应变传感器芯片(力学量测定装置)的四角设置剥离监视用传感器的杂质扩散电阻，连接这四角的杂质扩散电阻而形成惠斯通电桥(参照专利文献I等)。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献I】JP特开2007-263781号公报(特别是参照图20)
技术实现思路
(专利技术所要解决的问题)剥离是在应变传感器芯片(力学量测定装置)的四角产生的，由于朝向中央扩展，因此优选在该四角配置剥离监视用传感器的杂质扩散电阻，检测产生初期的剥离。但是，现有的应变传感器芯片(力学量测定装置)中，认为即使引起剥离，也会根据情况有时来自惠斯通电桥的传感器输出的变化较小而无法感知剥离。例如，若四角同时剥离，或者两角同时剥离，则认为配置于已剥离的角的杂质扩散电阻的电阻值同时发生变化，因此惠斯通电桥内的电位的变化抵消，不能检测来自惠斯通电桥的传感器输出的输出变化，不能感知剥离。因此，考虑优选应变传感器芯片(力学量测定装置)能可靠地感知自身的剥离。此外，将连接这些四角的杂质扩散电阻而形成的惠斯通电桥看作一匝线圈时的截面积大，因此认为因用于测定作用于被测定物的力学量的杂质扩散电阻所产生的电磁波、来自装置外部的电磁波而容易产生噪声并无法正确地检测剥离。与此相对，也考虑优选应变传感器芯片(力学量测定装置)能可靠地感知自身的剥离。此外，力学量测定装置被粘贴于被测定物，但为了减小电阻或热电阻，将半导体装置也粘贴于模块基板上。因此，若半导体装置能够感知自身的剥离，则是有用的。此外，若是通过感知自身的剥离而间接地感知力学量测定装置或半导体装置的剥离的剥离感知装置，则是有用的。并且，由于搭载有这些力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置的模块可通过感知自身的剥离，来推测来自其他半导体装置的模块基板的剥离，因此是有用的。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够可靠地感知自身的剥离的力学量测定装置、半导体装置以及剥离感知装置和搭载有它们的模块。(用于解决课题的手段)为了实现上述目的，本专利技术的力学量测定装置中，能测定作用于半导体基板的力学量的测定部设置在上述半导体基板的中央部，上述半导体基板被粘贴到被测定物并间接地测定作用于上述被测定物的力学量，该力学量测定装置的特征在于，在上述半导体基板的上述中央部的外侧的外周部，具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合的多个杂质扩散电阻，形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻被互相连接并形成惠斯通电桥。此外，本专利技术是一种半导体装置，元件或者电路设置在半导体基板的中央部，该半导体装置的特征在于，在上述半导体基板的上述中央部的外侧的外周部，具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合的多个杂质扩散电阻，形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻被互相连接并形成惠斯通电桥。此外，本专利技术是一种剥离感知装置，特征在于，在半导体基板的外周部，具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合的多个杂质扩散电阻，形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻被互相连接并形成惠斯通电桥。此外，本专利技术是一种模块，元件或者电路设置在半导体基板的半导体装置被粘贴于模块基板，该模块的特征在于，权利要求3所述的剥离感知装置被粘贴于上述模块基板内的上述半导体装置的附近。(专利技术效果)通过本专利技术，能够提供一种能够可靠地感知自身的剥离的力学量测定装置、半导体装置以及剥离感知装置和搭载了这些装置的模块。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的第I实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的俯视图。图2为形成在力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)中的惠斯通电桥的电路图。图3A为表示粘贴在被测定物上的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的剥离扩展的情况的示意图。图3B为图3A的A-A方向上的箭头方向剖视图。图4为包括本专利技术的第I实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)而构成的剥离感知系统的结构图。图5A为剥离感知系统所实施的剥离感知方法的流程图。图5B为剥离感知方法的步骤SI的峰值时刻(末端时刻)的取得方法的流程图。图6为在实施了剥离感知方法时，从惠斯通电桥(电桥)输出的传感器输出的波形。图7为本专利技术的第2实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的俯视图。图8为本专利技术的第3实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的俯视图。图9为本专利技术的第4实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的俯视图。图10为专利技术的第5实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的俯视图。图11为本专利技术的第6实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)的俯视图。图12为与本专利技术的第7实施方式涉及，并搭载有剥离感知装置(或者力学量测定装置、半导体装置)的模块的立体图。【具体实施方式】接下来，适当参照附图来详细地说明本专利技术的实施方式。另外，在各图中，对共同的部分赋予同一符号并省略重复的说明。此外，本专利技术并不限于在此所列举的多个实施方式中的任一个，可适当进行组合。(第I实施方式)图1表示本专利技术的第I实施方式涉及的力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)100的俯视图。力学量测定装置(或者半导体装置、剥离感知装置)100具有俯视时呈四边形(矩形、正方形)的半导体基板I。作为半导体基板1，能够采用表面为(001本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：太田裕之，芦田喜章，宫岛健太郎，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。