热电阻传感器模拟电路制造技术

技术编号:9394399 阅读:125 留言:0更新日期:2013-11-28 06:59
本实用新型专利技术属于热电阻模拟技术,涉及一种热电阻传感器模拟电路。所述热电阻传感器模拟电路包括运算放大器、MOS管以及可调电位器。其中,运算放大器输出端连接MOS管输入,MOS管的栅极和漏极之间串接有电阻R2和电容C1,MOS管的漏极连接可调电位器输出,MOS管的源极连运算放大器的正输入端。运算放大器输出端与MOS管输入之间连接有电阻R1。MOS管Q1的源极连电阻R4后接地。本实用新型专利技术热电阻传感器模拟电路结构简单,成本很低,精度高,动态响应时间快的优点,完全可以做到ns级响应速度,因此具有较大的实际应用价值。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
热电阻传感器模拟电路,其特征在于,包括运算放大器、MOS管以及可调电位器,其中,运算放大器输出端连接MOS管输入,MOS管的栅极和漏极之间串接有电阻R2和电容C1,MOS管的漏极连接可调电位器输出,MOS管的源极连运算放大器的正输入端。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵玄佟哲
申请(专利权)人:中国航空工业集团公司航空动力控制系统研究所
类型:实用新型
国别省市:

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