一种磁阻限流器制造技术

本发明专利技术公开了一种磁阻限流器，包括基片、磁阻传感器层、第一绝缘层、线圈、第二绝缘层、磁屏蔽层以及输入电极和输出电极。线圈位于磁屏蔽层和磁阻传感器层之间，第一绝缘层、第二绝缘层分别隔离磁阻传感器层和线圈、线圈和磁屏蔽层，磁阻传感器层和线圈串联，并连接输入电极和输出电极。磁阻传感器层包括N行阵列式的磁隧道结行，线圈包括2*N+M（N>1，M=-1或3）行串联或N+M（N>1，M=0或2）行并联的导电行，电流同方向流入位于隧道结行之上或下的导电行，且在磁隧道结行处产生均匀磁场。磁隧道结的磁敏感轴垂直于磁隧道结行，磁阻传感器层具有单调或轴对称线性上升电阻-磁场特征。该磁阻限流器具有响应速度快、可连续操作、对增减电流均起作用等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种磁阻限流器，其特征在于：其包括：基片、输入电极、输出电极、磁阻传感器层、第一绝缘层、线圈、第二绝缘层以及磁屏蔽层；线圈位于磁屏蔽层和磁阻传感器层之间，第一绝缘层分隔线圈和磁阻传感器层，第二绝缘层分隔线圈和磁屏蔽层；磁阻传感器层包括N行阵列式的磁隧道结行，N为大于1的整数，每行磁隧道结行包括一个或多个互联的磁隧道结单元，磁隧道结行之间以串联、并联或者混合串并联形成磁阻传感器层的两端口结构，线圈也具有两端口结构，磁阻传感器层的一个端口与线圈的一个端口相接，磁阻传感器层的另一个端口与输入电极相连，线圈的另一端口与输出电极相连；电流经输入电极流入磁阻传感器层，再经线圈从输出电极流出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周志敏，詹姆斯·G·迪克，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：