一种水溶性掺杂的三元合金量子点的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种水溶性三元量子点的制备方法。本发明专利技术还公开了一种水溶性掺杂的三元合金量子点的制备方法。本发明专利技术还公开了一种新型量子点材料，所述新型量子点材料由所述的制备方法制得的Cu+或Ag+掺杂的三元合金量子点。本发明专利技术实现了对掺杂三元合金量子点在室温下的快速制备，开辟了一种新的基于水相离子交换反应制备合金量子点的新方法。这种方法所需设备简单，掺杂速度快，耗能低，容易操作，没有危险性，原料供给方便，原料价格低廉。这种掺杂方法可以灵活的调节三元量子点阳离子之间的比例，从而达到调控三元量子点光电特性的效果。所获得的掺杂三元量子点具有良好的荧光特性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种水溶性三元量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）水溶性二元量子点的制备；2）对水溶性二元量子点进行提纯处理；3）将上述提纯后的水溶性二元量子点分散在0.05～2mol/L水合肼溶液中得到混合液；4）杂质离子前驱体溶液制备：通过Ag+或Cu+离子分别与含有巯基的配体混合得到的杂质离子前驱体水溶液；5）将上述杂质离子前驱体溶液逐滴加入剧烈搅拌的步骤3）的混合液中得到水溶性三元量子点，其中，杂质离子前驱体溶液的阳离子和水溶性二元量子点中的阳离子投料比为0.02～1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王春雷，邵海宝，崔一平，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：