【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅压力/差压变送器耐单向过载及工作压力结构,其特征是:有一个基座,基座的左、右侧边分别设置有负压腔和正压腔;负压腔外端设置有表面为波纹面其外周界和基座及负压腔外周界圆周固定在一起的负压隔离膜片;负压腔内端设置有表面为波纹面其外周界和基座及负压端的正压腔外周界圆周固定在一起的正压膜片;负压隔离膜片与正压膜片之间形成的负压腔内设置有硅油;正压膜片内端为基座负压波纹面;正压膜片与基座负压波纹面之间形成的负压端的正压腔内设置有硅油;正压腔外端设置有表面为波纹面其外周界和基座及正压腔外周界圆周固定在一起的正压隔离膜片;正压腔内端设置有表面为波纹面其外周界和基座及正压端的负压腔外周界圆周固定在一起的负压膜片;正压隔离膜片与负压膜片之间形成的正压腔内设置有硅油;负压膜片内端为基座正压波纹面;负压膜片与基座正压波纹面之间形成的正压端的负压腔内设置有硅油;基座中间上端设置有硅传感器,硅传感器中心靠下端处设置有硅片;基座左侧的中间上端在硅传感器侧边设置有负压引压孔一、基座的中间设置有负压引压孔二、基座的中间在负压引压孔二下端设置有负压引压孔三、基座的中间负压引压孔二的另一端连接有负压引压孔四,基座的中 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张惠益,周永宏,邹崇,
申请(专利权)人:福建上润精密仪器有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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