双全桥注入锁相功率合成金卤灯制造技术

本实用新型专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成匹配灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片4、6调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率管。适用于大功率金卤灯照明场合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯，包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、金卤灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成匹配灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，梅玉刚，
申请(专利权)人：梅玉刚，
类型：实用新型
国别省市：