本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池及其制作方法，该晶体硅太阳能电池包括硅衬底和生长在硅衬底表面的氮化硅薄膜，在所述硅衬底和氮化硅薄膜之间还生长有氧化硅薄膜或非晶硅薄膜。本发明专利技术具备抗PID的性能，而且不降低太阳能电池的转换效率性能。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池，包括硅衬底和生长在硅衬底表面的氮化硅薄膜，其特征在于：在所述硅衬底和氮化硅薄膜之间还生长有氧化硅薄膜或非晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏正月，任常瑞，张满良，高艳涛，陶龙忠，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：
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