一种紧缩场产生装置制造方法及图纸

技术编号:9141886 阅读:163 留言:0更新日期:2013-09-12 03:36
本发明专利技术涉及一种用于天线测试的紧缩场装置,公开了一种紧缩场产生装置,该装置包括馈源以及超材料面板,馈源为喇叭馈源,且在喇叭内填充有发散超材料介质,超材料面板包括核心层,核心层包括核心层片层,核心层片层包括圆形区域及分布在圆形区域周围的多个环形区域,圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同,且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小,相邻两个区域,处于内侧的区域的折射率的最小值小于处于外侧的区域的折射率的最大值。根据本发明专利技术的紧缩场产生装置,由片状的超材料面板代替了传统的抛物状反射面,制造加工更加容易,成本更加低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种紧缩场产生装置
本专利技术涉及天线测试领域,尤其涉及一种基于超材料的紧缩场产生装置。
技术介绍
紧缩场是一种在近距离内靠光滑的反射面,包括单反射面和双反射面,将馈源发出的球面波变为平面波的测试设备。它所产生的平面波环境,可以充分满足天线方向图的测试要求,从而达到在近距离内对天线进行测试的目的。紧缩场系统上可以分为紧缩场天线部分和微波暗室部分。在现有技术中,紧缩场天线部分是采用精密的反射面,将点源产生的球面波在近距离内变换为平面波的一套装置,通常按照设计要求,将天线部分的位置准确地安装于微波暗室中,并调节好水平度,通过对紧缩场天线反射面边缘的处理和微波暗室的配合,在空间测试区域创造出一个静区,在静区里可以模拟被测物在无反射的自由空间中的辐射特性。与室外远场和室内近场比较,紧缩场主要具有以下特点:1、安装在微波暗室的紧缩场具有较好的保密性;2、安装在室内的紧缩场受气候环境影响小,改善了测试条件,进而提高了RCS(RadarCross-Section,雷达散射截面)的测量效率;3、可以将室外远场测试问题转换为暗室内近距离测试问题。这些特点决定了紧缩场是研究电磁散射的重要测试设备,也是高本文档来自技高网...
一种紧缩场产生装置

【技术保护点】
一种紧缩场产生装置,所述装置包括馈源,其特征在于,所述装置还包括设置在所述馈源前方的超材料面板,所述超材料面板包括核心层,所述核心层包括至少一个核心层片层,所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在所述第一基材上的多个人造微结构,所述馈源为喇叭馈源,其中喇叭内填充有具有电磁波发散功能的发散超材料介质,所述发散超材料介质由多个不同横截面积的发散片层堆叠而成,所述发散片层的折射率以其中心为圆心呈圆形分布,且相同半径处的折射率相同,随着半径的增大折射率逐渐减小;所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域,所述圆形区域及环形区域...

【技术特征摘要】
1.一种紧缩场产生装置,所述装置包括馈源,其特征在于,所述装置还包括设置在所述馈源前方的超材料面板,所述超材料面板包括核心层,所述核心层包括至少一个核心层片层,所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在所述第一基材上的多个第一人造微结构,所述馈源为喇叭馈源,其中喇叭内填充有具有电磁波发散功能的发散超材料介质,所述发散超材料介质由多个不同横截面积的发散片层堆叠而成,所述发散片层的折射率以其中心为圆心呈圆形分布,且相同半径处的折射率相同,随着半径的增大折射率逐渐减小;所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域,所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同,且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小,所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值,相邻两个环形区域,处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值。2.根据权利要求1所述的一种紧缩场产生装置,其特征在于,所述第一基材包括片状的第一前基板及第一后基板,所述多个第一人造微结构夹设在第一前基板与第一后基板之间。3.根据权利要求1所示的一种紧缩场产生装置,其特征在于,所述核心层包括多个厚度相同且折射率分布相同的核心层片层,多个核心层片层压合一体。4.根据权利要求1所示的一种紧缩场产生装置,其特征在于,所述圆心为核心层片层的中心,所述圆形区域以及多个环形区域的折射率变化范围相同,所述核心层片层的折射率n(r)分布满足如下公式:其中,i表示核心层片层分段数,i=1表示核心层片层第一段、i=2表示核心层片层第二段、……、i=p表示核心层片层的第p段,所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心;ni(r)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值;nmin表示核心层片层的折射率的最小值;λ表示电磁波波长;r表示核心层片层上任意一点距离核心层片层中心的距离;s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离;ai表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值;d表示所述核心层的厚度。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘若鹏季春霖岳玉涛李星昆
申请(专利权)人:深圳光启创新技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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