使用微结构化的中子探测器的中子孔隙度测井工具制造技术

一种中子孔隙度测量装置使用位于与腔体相距不同距离的半导体探测器，该腔体配置成容纳中子源。这些半导体探测器的每一个包括（i）半导体衬底（110），其掺杂以形成pn结，并且具有形成为从所述半导体衬底内的第一表面延伸的中子反应材料（120）的微结构，以及（ii）电极（160，170），这些电极的其中之一（160）与半导体衬底的第一表面接触以及该电极中的另一个电极（170）与半导体衬底的第二表面接触，第二表面与第一表面相对。这些电极配置成获取半导体衬底内捕获中子时发生的电信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：HC克利门，
申请(专利权)人：桑德克斯有限公司，
类型：
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