一种双通道高频电源吸收网络，其构造由一号电阻、一号电容、二号电阻、二号电容、磁珠、变压器、控制模块、三号电容、二极管组成。其特征是，二极管的阳极与变压器的次级输出正极端连接，二极管的阴极与磁珠连接，磁珠的另一端与二极管的阳极中间并联一组由一号电容与一号电阻串联后的一号吸收网，二极管的阴阳极之间并联另一组由二号电容和二号电阻串联后的二号吸收网，变压器的次级正负极两端并联一个三号电容。二号吸收网把二极管及磁珠之间产生的反向尖峰电压吸收，一号吸收网把磁珠与蓄能电容产生的反向尖峰电压吸收，而三号电容却有效保障变压器的次级输出不会因为直流电的瞬间关闭与接通，使二极管的阳极正向电压不会被抬高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种机动车照明用HID安定器的变压器输出保护装置，具体的讲是一种双通道高频电源吸收网络。
技术介绍
HID安定器的变压器输出电源属于高频电源，因变压器必须将12V的直流电转换成20000V以上的高压电，击穿灯泡后，又将变压器的输出电源稳定在85V左右。因二极管发热后，其承受反向电压及正向导通电流都将下降，并且，当司机对灯光进行变光时，瞬间的反向高压及正向高电流将容易损坏整流二极管和MOS管。而现在使用的高频吸收网，就是在二极管的两端并联一组由电阻和电容串接而成的电路，当尖峰电压来临时，通过其把尖峰电压吸收，并在二极管的前面后后面串接一个磁珠，用来消除二极管的尖峰电压。然而，在正常生产中，因为变压器的构造是整个环境的特定因数，其做工和磁通量都严重影响吸收网络的参数，并且，当串上磁珠后，尖峰电压有所降低，但是变压器在开通时的正向电压升高，启动时，容易损坏二极管。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种双通道高频电源吸收网络，具有平衡变压器次级输出的正向电压，又双通道吸收磁珠及二极管的反向尖峰电压的功能。本技术是以如下技术方案实现的:本双通道高频电源吸收网络，其构造由一号电阻、一号电容、二号电阻、二号电容、磁珠、变压器、控制模块、三号电容、二极管组成。其特征是，二极管的阳极与变压器的次级输出正极端连接，二极管的阴极与磁珠连接，磁珠的另一端与二极管的阳极中间并联一组由一号电容与一号电阻串联后的一号吸收网，二极管的阴阳极之间并联另一组由二号电容和二号电阻串联后的二号吸收网，变压器的次级正负极两端并联一个三号电容 。12V蓄电池的直流电源一路到达变压器，另一路到达控制模块，控制模块启动MOS管工作，变压器次级输出电压，安定器工作。当12V直流电在瞬间关闭和导通的频繁工作中，所述的瞬间关闭与导通，是指安定器在启动与停止的瞬间，在这瞬间所产生的正向过高电压与反向尖峰电压，而不是正常工作状态下，MOS管振荡所产生的输出交流电的截止与导通，二号吸收网把二极管及磁珠之间产生的反向尖峰电压吸收，一号吸收网把磁珠与蓄能电容产生的反向尖峰电压吸收，而三号电容却有效保障变压器的次级输出不会因为直流电的瞬间关闭与接通，使二极管的阳极正向电压不会被抬高。在上述的基础上，二极管的阳极与变压器的次级输出正极端连接，在二极管的阴阳极之间，并联一组由一号电容和一号电阻串联后组成的一号吸收网，和另一组由二号电容和二号电阻串联后的二号吸收网，变压器的次级正负极两端并联一个三号电容，所述的一号吸收网和二号吸收网同步并在二极管的两极，如采用此方法，可以取消磁珠，利用电阻的不同阻值，低阻值的一号吸收网用来吸收大电流，高电阻的二号吸收网用来吸收高电压，从而保证二极管不论在何种情况下，都不会损坏。所述的一号电容和二号电容其型号为:102J630V。所述的一号电阻其型号为:33ΚΩ。所述的二号电阻其型号为:100ΚΩ。所述的三号电容，当变压器选用Μ8型号时，其型号为:102J100V。所述的三号电容，当变压器选用PQ26型号时，其型号为:331J100V。所述的磁珠为:直径6mm,长度11mm。所述的二极管为:当变压器选用M8型号时，二极管选用HER或SF系列。所述的二极管为:当变压器选用PQ26型号时，二极管选用SF系列。有益效果是:达到了平衡变压器次级输出的正向电压，又双通道吸收磁珠及二极管的反向尖峰电压，有效保证了二极管的使用寿命的功能。附图说明图1是本技术双通道高频电源吸收网络在安定器中的构造图。图中1.一号电阻，2. —号电容，3.二号电阻,4.二号电容，5.磁珠,6.变压器，7.控制模块，8.三号电容，9.二极管。具体实施方式图1是本技术双通道高频电源吸收网络在安定器中的构造图，由一号电阻1、一号电容2、二号电阻3、二号电容4、磁珠5、变压器6、控制模块7、三号电容8、二极管9组成。在图1中，实施一:二极管9的阳极与变压器6的次级输出正极端连接，二极管9的阴极与磁珠5连接,磁珠5的另一端与二极管9的阳极中间并联一组由一号电容2与一号电阻I串联后的一号吸收网，二极管9的阴阳极之间并联另一组由二号电容4和二号电阻3串联后的二号吸收网，变压器6的次级正负极两端并联一个三号电容8。实施二:二极管9的阳极与变压器6的次级输出正极端连接，在二极管9的阴阳极之间，并联一组由一号电容2和一号电阻I串联后组成的一号吸收网，和另一组由二号电容4和二号电阻3串联后的二号吸收网，变压器6的次级正负极两端并联一个三号电容8，所述的一号吸收网和二号吸收网同步并在二极管9的两极，如采用此方法，可以取消磁珠5，利用电阻的不同阻值，低阻值的一号吸收网用来吸收大电流，高电阻的二号吸收网用来吸收高电压，从而保证二极管9不论在何种情况下，都不会损坏。权利要求1.一种双通道高频电源吸收网络，其构造由一号电阻、一号电容、二号电阻、二号电容、磁珠、变压器、控制模块、三号电容、二极管组成，其特征是，二极管的阳极与变压器的次级输出正极端连接，二极管的阴极与磁珠连接，磁珠的另一端与二极管的阳极中间并联一组由一号电容与一号电阻串联后的一号吸收网，二极管的阴阳极之间并联另一组由二号电容和二号电阻串联后的二号吸收网，变压器的次级正负极两端并联一个三号电容， 12V蓄电池的直流电源一路到达变压器，另一路到达控制模块，控制模块启动MOS管工作，变压器次级输出电压，安定器工作，当12V直流电在瞬间关闭和导通的频繁工作中， 所述的瞬间关闭与导通，是指安定器在启动与停止的瞬间，在这瞬间所产生的正向过高电压与反向尖峰电压，而不是正常工作状态下，MOS管振荡所产生的输出交流电的截止与导通， 二号吸收网把二极管及磁珠之间产生的反向尖峰电压吸收，一号吸收网把磁珠与蓄能电容产生的反向尖峰电压吸收，而三号电容却有效保障变压器的次级输出不会因为直流电的瞬间关闭与接通，使二极管的阳极正向电压不会被抬高。2.一种双通道高频电源吸收网络，其构造由一号电阻、一号电容、二号电阻、二号电容、变压器、控制模块、三号电容、二极管组成，其特征是，二极管的阳极与变压器的次级输出正极端连接，在二极管的阴阳极之间，并联一组由一号电容和一号电阻串联后组成的一号吸收网，和另一组由二号电容和二号电阻串联后的二号吸收网，变压器的次级正负极两端并联一个三号电容， 所述的一号吸收网和二号吸收网同步并在二极管的两极，如采用此方法，可以取消磁珠，利用电阻的不同阻值，低阻值的一号吸收网用来吸收大电流，高电阻的二号吸收网用来吸收高电压，从而保证二极管不论在何种情况下，都不会损坏。3..根据权利要求1或2所述的一种双通道高频电源吸收网络，其特征是，所述的一号电阻其型号为:33ΚΩ ;所述的二号电阻其型号为:100ΚΩ。4.根据权利要求1所述的一种双通道高频电源吸收网络，其特征是，所述的磁珠为:直径6mm,长度11mm。5.根据权利要求1或2所述的一种双通道高频电源吸收网络，其特征是，所述的三号电容，当变压器选用M8型号时，其型号为:102J100V ;当变压器选用PQ26型号时，其型号为:331J100V。6.根据权利要求1或2所述的一种双通道高频电源吸收网络，其特征是，所述的二极管为:当变压器选用M8型号时，二极管选用H本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双通道高频电源吸收网络，其构造由一号电阻、一号电容、二号电阻、二号电容、磁珠、变压器、控制模块、三号电容、二极管组成，其特征是，二极管的阳极与变压器的次级输出正极端连接，二极管的阴极与磁珠连接，磁珠的另一端与二极管的阳极中间并联一组由一号电容与一号电阻串联后的一号吸收网，二极管的阴阳极之间并联另一组由二号电容和二号电阻串联后的二号吸收网，变压器的次级正负极两端并联一个三号电容，12V蓄电池的直流电源一路到达变压器，另一路到达控制模块，控制模块启动MOS管工作，变压器次级输出电压，安定器工作，当12V直流电在瞬间关闭和导通的频繁工作中，所述的瞬间关闭与导通，是指安定器在启动与停止的瞬间，在这瞬间所产生的正向过高电压与反向尖峰电压，而不是正常工作状态下，MOS管振荡所产生的输出交流电的截止与导通，二号吸收网把二极管及磁珠之间产生的反向尖峰电压吸收，一号吸收网把磁珠与蓄能电容产生的反向尖峰电压吸收，而三号电容却有效保障变压器的次级输出不会因为直流电的瞬间关闭与接通，使二极管的阳极正向电压不会被抬高。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：庄景阳，
申请(专利权)人：南安市柳城高捷图文设计工作室，
类型：实用新型
国别省市：
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