用于生产硬盘基材的方法和硬盘基材技术

本发明专利技术提供了用于生产硬盘基材的方法以及这样的硬盘基材，所述方法能够获得具有通过无电NiP电镀的平滑表面且对酸腐蚀的抗性不会劣化的电镀层。所述方法用于生产本发明专利技术的硬盘基材，其中基材具有无电NiP电镀层。所述方法包括：第一电镀步骤，通过将基材浸没在包含具有平滑效果的添加剂的第一无电NiP电镀浴中以在所述基材的表面上形成无电NiP电镀层的下层，所述下层具有小于所述基材的表面的平均表面粗糙度的平均表面粗糙度；和第二电镀步骤，通过将在第一电镀步骤中形成有所述无电NiP电镀层的下层的基材浸没在第二无电NiP电镀浴中以形成无电NiP电镀层的上层，所述上层具有对酸腐蚀的抗性。由此，获得对酸腐蚀的抗性不会劣化的具有平滑表面的电镀膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于生产硬盘基材的方法以及硬盘基材。
技术介绍
硬盘基材通过包括无电NiP电镀的方法来制造，该无电NiP电镀方法被应用于已加工的铝或铝合金基材以形成作为磁膜的基部的电镀膜(参见专利文件I)。这里，对于通过硬盘装置记录的较高密度，需要最小化记录头/复制头距硬盘基材的表面的浮动高度(floating height)。为此，在通过无电NiP电镀形成电镀膜之后，使用自由磨粒进行抛光以使电镀膜的表面平滑。专利文件1:日本专利公布(Kokai)第03-236476A号(1991)。专利技术公开内容待通过本专利技术解决的问题 因为通过无电NiP电镀得到的电镀膜的表面是非常粗糙的，所以重负担强加于抛光过程中。此外，因为使用抛光除去的厚度是大的，所以电镀膜还必须被制成厚的。因此，生产力劣化且环境负担增加。从这个角度，期望使通过无电NiP电镀形成的电镀膜的表面平滑成尽可能平坦以减少对抛光过程的负担。例如，当在印刷电路板或类似物上形成电镀膜时，将光亮剂(光沢剤)例如有机硫化合物加入到无电电镀浴中，因此形成具有平滑表面的电镀膜。然而，一般而言，包含硫的电镀膜具有差的对酸溶液的耐腐蚀性，且尤其在抛光步骤中使用强酸浆料的用于硬盘基材的制造过程期间，缺陷例如腐蚀坑可能出现在电镀膜的表面，且因此不能直接应用印刷电路板的技术。此外，电镀膜的这样差的对酸溶液的耐腐蚀性可以造成Ni在用强酸洗涤期间优先地从电镀膜的过度洗脱，这可能在随后的用于硬盘基材的步骤中导致问题。鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供用于生产硬盘基材的方法以及这样的硬盘基材，所述方法能够通过无电NiP电镀获得电镀膜的平滑表面，电镀膜对酸溶液的耐腐蚀性不会劣化。用于解决问题的方法为了解决前述问题，本专利技术的用于生产硬盘基材的方法用于生产包括无电NiP电镀膜的硬盘基材，且生产方法包括以下步骤:将基材浸没在包含具有平滑效果的添加剂的第一无电NiP电镀浴中以在所述基材的表面上形成所述无电NiP电镀膜的下层的第一电镀步骤，所述下层具有小于所述表面的平均表面粗糙度的平均表面粗糙度；和将在第一电镀步骤中在其上形成所述无电NiP电镀膜的下层的基材浸没在第二无电NiP电镀浴中以形成所述无电NiP电镀膜的上层的第二电镀步骤，所述上层具有对酸溶液的耐腐蚀性。优选地，上述添加剂包括有机硫化合物。然后，第二无电NiP电镀浴不包括加入到其中的有机硫化合物。优选地，有机硫化合物包括硫脲、硫代硫酸钠、磺酸盐、异噻唑酮化合物、月桂基硫酸钠、2，2 ’ - 二硫二吡啶、2，2 ’ - 二硫代二苯甲酸和双二硫化物中的至少一种。优选地，有机硫化合物包含氮。优选地，有机硫化合物的包含量是0.0lppm或更大且20ppm或更小，且特别地优选地有机硫化合物的包含量是0.1ppm或更大且5ppm或更小。专利技术效果根据本专利技术的用于生产硬盘基材的方法，可以获得具有平滑表面的电镀膜，且其对酸溶液的耐腐蚀性不会劣化。因此，可以减少对抛光步骤的负担，且可以改进硬盘基材的生产力。此外，可以减少从抛光步骤排出的废流体，可以使抛光除去的厚度更小，且还可以使电镀膜的膜厚度更薄，使得也可以降低环境负担。附图简述附图说明图1示出实施例1以及比较实施例1和比较实施例2的测量结果。图2示出实施例2的测量结果。图3示出实施例3的表面粗糙度的测量结果。图4示出实施例3的小块()-7' 二一> )直径和小块高度的测量结果。图5示出实施例3的波度()ft >9 )的测量结果。实施本专利技术的最佳模式以下详细描述了本专利技术的实施方案。在本专利技术的实施方案中用于生产硬盘基材的方法包括:研磨铝合金坯件以形成基材的基材形成步骤；对基材进行无电NiP电镀以在基材的表面上形成无电NiP电镀膜的电镀步骤；抛光在其上形成无电NiP电镀膜的基材的表面的抛光步骤；和洗涤抛光的电镀膜的洗涤步骤。在这些步骤当中，电镀步骤可以使用以下来进行:(I)脱脂处理，⑵水洗，(3)蚀刻处理，(4)水洗，(5)出光处理(脱^ 7 卜処理)，(6)水洗，(7)第一锌酸盐处理，(8)水洗，(9)去锌酸盐处理，(10)水洗，(11)第二锌酸盐处理，(12)水洗，(13)无电NiP电镀，(14)水洗，(15)干燥和(16)烘烤，其中(13)无电NiP电镀可以使用第一电镀步骤和第二电镀步骤两个阶段来进行。在第一电镀步骤中，将基材浸没在包含具有平滑效果的添加剂的第一无电NiP电镀浴中以在基材的表面上形成无电NiP电镀膜的下层。通过该处理，形成的无电NiP电镀膜将具有小于铝合金坯件的平均表面粗糙度的平均表面粗糙度。作为具有平滑效果的添加齐U，可以使用有机硫化合物。推测起来，该具有平滑效果的添加剂被沉积在具有不规则物的铝合金坯件的突出部分处，使得无电NiP电镀的生长在这些部分处比在其他部分处被延迟，以便减少氧化铝合金坯件的不规则物的影响，并由此可以获得平滑的电镀膜。然后，过程转入第二电镀步骤，在第二电镀步骤中，将通过第一电镀步骤在其上形成无电NiP电镀膜的下层的基材浸没在具有对酸溶液的耐腐蚀性的第二无电NiP电镀浴中以形成无电NiP电镀膜的上层。为了形成具有对酸溶液的耐腐蚀性的无电NiP电镀膜，可以使用不向其加入有机硫化合物的电镀浴。本文提及的对酸溶液的耐腐蚀性可以是以常规可得到的无电NiP电镀膜的对酸溶液的耐腐蚀程度。为此，明确地优选不向电镀浴中加入有机硫化合物，但容许其混合物以不会影响对酸溶液的耐腐蚀性的杂质程度。 对于第一无电NiP电镀浴和第二无电NiP电镀浴，水溶性镍盐用作镍离子的供应源。示例性的水溶性镍盐包括硫酸镍、氯化镍、碳酸镍、乙酸镍或氨基磺酸镍。优选地，以金属镍计，电镀浴中的密度是lg/L或更大且30g/L或更小。作为络合剂，在二羧酸和其碱金属盐例如酒石酸、苹果酸、柠檬酸、琥珀酸、丙二酸、羟基乙酸、葡糖酸、草酸、邻苯二甲酸、富马酸、马来酸、乳酸和其钠盐、钾盐和铵盐当中，可以使用两种类型或更多种类型，其中的至少一种优选地是氧基-二羧酸(才々^力> >酸)。优选地，络合剂的密度是0.01mol/L或更大且2.0moI/L或更小。优选地使用连二磷酸或次磷酸盐例如次磷酸钠或次磷酸钾作为还原剂。优选地，还原剂的密度是5g/L或更大且80g/L或更小。在第一电镀步骤中，为了使无电NiP电镀膜的作为下层的表面平滑，向其加入光亮剂例如有机硫化合物的第一无电NiP电镀浴优选地用作用于无电NiP电镀的具有平滑效果的添加剂。有机硫化合物可以在结构式中包含硫原子，且可以使用例如，硫脲、硫代硫酸钠、磺酸盐、异噻唑酮化合物、月桂基硫酸钠、2，2’ - 二硫二吡啶、2，2’ - 二硫代二苯甲酸和双二硫化物。它们中的一种可以被单独使用，或两种类型或更多种类型可以一起使用。更优选地，有机硫化合物包含氮，包括硫脲、异噻唑酮化合物、2，2’- 二硫二吡啶和双二硫化物。加入的有机硫化合物的量可以是0.0lppm或更大且20ppm或更小,且尤其优选地是0.1ppm或更大且5ppm或更小。由太少量的有机硫化合物，不能获得电镀膜的平滑效果，且由太大的量，不能预期更大程度的效果。这样的光亮剂诸如有机硫化合物具有的毒性低于包含Cd、As、Tl的光亮剂或类似物的毒性，且因此适合于在许多情况中的实际使用。第一无电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迎展彰，
申请(专利权)人：东洋钢钣株式会社，
类型：
国别省市：