转换器电路制造技术

技术编号:8983578 阅读:155 留言:0更新日期:2013-08-01 02:29
本发明专利技术给出的是带有转换器单元(1)的转换器电路,所述转换器单元(1)具有多个可控功率半导体开关并且所述转换器单元的直流电压侧与容性能量存储电路(2)相连,其中,容性能量存储电路(2)具有至少一个容性能量存储器和至少一个减负荷网络(3),所述至少一个减负荷网络(3)用于限制转换器单元(1)的可控功率半导体开关上电流上升速度和/或电压上升速度。为了减少容性存储电路中不期望的过电流振荡,容性能量存储电路(2)具有至少一个带有单向通电方向的无源不可控阻尼单元(4),其中,无源不可控阻尼单元(4)具有二极管和阻尼电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及功率电子器件的领域。它来自于独立权利要求的前序部分的转换器电路
技术介绍
当今,转换器电路被应用于多种用途。图1中示出根据现有技术的这类转换器电路。通常情况下,该转换器电路在其中包含容性能量存储电路2,容性能量存储电路2具有至少一个容性能量存储器。此外,该转换器电路具有转换器单元1,转换器单元I的直流电压侧与容性能量存储电路2相连。这种转换器单元例如用于对例如需要交流电压的电负载进行供电。转换器单元I本身具有多个可控功率半导体开关,这些可控功率半导体开关连接起来形成技术人员熟知的电路,例如半桥电路或者全桥电路。此外,容性能量存储电路2另外还包含至少一个减负荷网络3(所谓的缓冲电路),以便在该转换器单元I的可控功率半导体开关上保持小的干扰性高频或者电压峰值,所述干扰性高频或者电压峰值在开关可控功率半导体开关时可能出现。因此,这种减负荷网络3引起对转换器单元I的可控功率半导体开关上电流上升速度和/或电压上升速度的限制,可控功率半导体开关例如是晶闸管、IGBT、IGCT等。根据图1,通常情况下,该减负荷网络包含电阻、电感、电容和二极管,其中,于是,上述组件通常按照图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:K达马齐奥科埃尔霍M吕舍尔O阿佩尔多尔恩T贝纳尔
申请(专利权)人:ABB技术有限公司
类型:
国别省市:

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