【技术实现步骤摘要】
本申请涉及开关，特别涉及级联开关。
技术介绍
级联开关通常设计有两个或更多串联连接的M0SFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或者IGBT (绝缘栅双极晶体管)。例如，在两个晶体管级联开关中，一个晶体管耦接到负载，并且第二个晶体管被串联耦接在第一晶体管和地面之间。该晶体管被接通和关断，以便按照要求或需要切换负载电流。跨级联开关中包括的全部串联的功率晶体管分配负载电压。例如，两个800V额定MOSFET可以被串联连接，用于开关1000V或者更大的负载。级联开关的普遍问 题是如何驱动高端MOSFET或者IGBT，即最靠近负载耦接的晶体管。在常规方法中，与电阻器串联的诸如齐纳二极管的高电压电源被用于打开高端晶体管，并且流过高端晶体管的负载电流被用于无源关掉晶体管。低端晶体管即最靠近地面耦接的晶体管，被用脉冲低电压电源接通并关断。该方法的缺点是，无源关掉高端晶体管高度取决于负载电流，并且在关掉高端晶体管期间，在低端晶体管电压限制器上存在高的耗散。
技术实现思路
本文公开了实施方式，其中低电压电源被用于打开级联开关的高端晶体管。这里所述的其他实施方式使用本地驱动级与负载电流...
【技术保护点】
一种电路，包括：变压器，具有初级绕组和次级绕组；输入端，被连接到所述初级绕组的第一端子；高端开关，具有源极、连接到驱动源的栅极和连接到所述初级绕组的第二端子的漏极；低端开关，具有连接到地的源极、连接到驱动源的栅极和连接到所述高端开关的所述源极的漏极；以及二极管，连接在所述高端开关的栅极和所述初级绕组的所述第一端子之间。
【技术特征摘要】
2012.01.31 US 13/362,100;2012.03.30 US 13/436,1091.一种电路,包括: 变压器，具有初级绕组和次级绕组； 输入端，被连接到所述初级绕组的第一端子； 高端开关，具有源极、连接到驱动源的栅极和连接到所述初级绕组的第二端子的漏极； 低端开关，具有连接到地的源极、连接到驱动源的栅极和连接到所述高端开关的所述源极的漏极；以及 二极管，连接在所述高端开关的栅极和所述初级绕组的所述第一端子之间。2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述高端开关的栅极和所述低端开关的栅极被连接到相同的驱动源。3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述高端开关的栅极和所述低端开关的栅极被连接到不同的驱动源。4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述高端开关的栅极被连接到DC电压驱动源，所述低端开关的栅极被连接到脉冲电压驱动源。5.根据权利要求1所述的电路，其中，当所述低端开关关闭并且所述高端开关关闭时，所述二极管、所述初级绕组和所述高端开关适于形成电流回路。6.根据权利要求5所述的电路，进一步包括被连接在所述次级绕组的端子和负载之间的附加二极管，其中，所述 二极管适于在所述高端开关关闭并且所述附加二极管响应于所述高端开关关闭而正向偏置之后所述初级绕组断开连接时，将电流从所述回路经由所述变压器中的磁场转移到所述次级绕组。7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述高端开关适于关闭，并且所述附加二极管适于响应于在所述回路中流动的电流对所述高端开关的栅源电容放电而正向偏置。8.根据权利要求1所述的电路，其中，所述二极管适于响应于所述高端开关的漏源电压上升到所述输入端的电压电平之上而正向偏置，其中，在所述低端开关开始关闭之后的时段，所述高端开关的所述漏源电压上升到所述输入端的电压电平之上。9.根据权利要求1所述的电路，进一步包括附加二极管，所述附加二极管具有连接在所述高端开关的源极和所述低端开关的漏极之间的阳极，和连接到所述高端开关的栅极的阴极。10.根据权利要求1所述的电路，进一步包括附加二极管和电感，其中所述附加二极管具有连接到所述次级绕组的端子的阳极，和连接到所述电感的一端的阴极，其中，所述电感的另一端连接到所述负载。11.一种开关负载的方法，包括: 驱动连接到变压器的初级绕组的第一端子的输入端，所述变压器具有连接到所述负载的次级绕组； 接通和关断低端开关，所述低端开关具有漏极、连接到地的源极、连接到驱动源的栅极； 接通和关断高端开关，所述高端开关具有连接到所述初级绕组的第二端子的漏极、连接到所述低端开关的漏极的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：姆拉登·伊万科维克，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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