一种同轴半波长腔体制造技术

本发明专利技术提供了一种同轴半波长腔体，属于微波技术领域。该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆外切长方体形成；所述长方体上下端面的截面尺寸为42mm×42mm，其高度为68mm，通孔的直径为21mm，且通孔直径与长方体外切圆的直径比为1/1.75。本发明专利技术采用最佳半波长腔结构，使腔内电场的分布最均匀，实现最大低气压功率容量，在相同的同轴截面结构时，半波长同轴腔的体积比四分之同轴腔结构增加了一倍多，因此功率容量至少增加一倍以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种同轴半波长腔体，具体涉及一种星载低气压条件下功率最优的同轴半波长腔体，属于微波

技术介绍
S波段星载多工器、滤波器多选用经典的四分之波长同轴腔组成滤波单元，电场最大处集中在腔内谐振子顶端，即使谐振子做倒钝处理，对低气压功率容量也不利，低气压功率容量不超过1W。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种同轴半波长腔体，保证有较大的功率容量，并发挥最大的尺寸利用率。一种同轴半波长腔体，该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆外切长方体形成；所述长方体上下端面的截面尺寸为42mmX42mm,其高度为68mm,通孔的直径为21mm，且通孔直径与长方体外切圆的直径比为1/1.75。有益效果:本专利技术采用最佳半波长腔结构，使腔内电场的分布最均匀，实现最大低气压功率容量。附图说明图1为本专利技术同轴半波长腔体的结构图。具体实施例方式下面结合附图并举实施例，对本专利技术进行详细描述。如附图1所示，本专利技术提供了一种同轴半波长腔体，该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆外切长方体形成。长方体上下端面的截面尺寸为42mmX42mm,其高度为68mm,通孔的直径为21mm,通孔直径与长方体外切圆的直径比为1/1.75。上述腔体的高度为二分之一工作波长的半波长同轴腔，在相同的同轴截面结构时，半波长同轴腔的体积比四分之同轴腔结构增加了一倍多，因此功率容量至少增加一倍以上，同时半波长腔内不存在开路端效应对电场的扰动，其内部的电场最大值位于腔内导体中段，分布均匀性相比四分之一波长腔要好的多，这一点使得该结构在增加一倍的体积的时候，带来远大于增加一倍 的功率容量的好处，因此从功率容量考虑该结构比四分之一波长同轴腔具有很大的优势。综上所述，以上 仅为本专利技术的较佳实施例而已，并非用于限定本专利技术的保护范围。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴半波长腔体，其特征在于，该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆外切长方体形成；所述长方体上下端面的截面尺寸为42mm×42mm，其高度为68mm，通孔的直径为21mm，且通孔直径与长方体外切圆的直径比为1/1.75。

【技术特征摘要】
1.一种同轴半波长腔体，其特征在于，该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：高晓艳，李鸿斌，董楠，韩运忠，王晓天，田立松，
申请(专利权)人：北京空间飞行器总体设计部，
类型：发明
国别省市：