一种上引法生产12~15×630~650mm紫铜宽幅带坯的方法技术

技术编号:8978743 阅读:138 留言:0更新日期:2013-07-31 20:33
本发明专利技术属于紫铜宽幅带坯生产技术领域,具体涉及一种上引法生产12~15×630~650mm紫铜宽幅带坯的方法,包括以下步骤:在完成配料后利用潜流炉熔炼成熔体并使所述熔体保温,然后通过牵引机构进行牵引利用上引结晶器连续进行铸造,并通过取卷机定尺打卷成型。本发明专利技术由于采用配料—熔炼—上引连续铸造—打卷定尺的工艺流程,相对热轧法流程缩短7道工序,能耗测算降低多于三分之一,生产率大幅度提高;相对水平连铸法流程缩短4道工序,能耗降低多于四分之一,且使得上引结晶器的寿命大大提高,生产连续性及效率提高,设备成本降低,具有无比的优越性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于铜加工熔铸
,尤其涉及一种上引法生产12 15X63(T650mm紫铜宽幅带坯的方法。
技术介绍
目前,紫铜带坯生产方法一般有两种:一种为热轧法,其工艺流程为,原材料配料一熔炼一半连续或连续铸造一铸锭锯切一铸锭加热一热轧一带坯卷取一带坯开卷一矫平一双铣面一铣面后带坯剪切头尾卷取一供粗轧开坯轧制;另一种为水平连铸法,其工艺流程为,原材料配料一熔炼一水平连续铸造一定尺剪切带坯卷取一带坯开卷一矫平一双铣面一统面后带坯卷取一供粗轧开坯轧制。上述两种生产工艺流程工序较多,比较复杂,能源消耗大,生产连续性以及生产效率较低,生产投入成本大,而且生产过程中容易使上引结晶器的使用寿命快速缩短,且上述两种生产工艺流程工不能用于生产宽度在630mm以上的紫铜宽幅带坯。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺陷而提供一种生产效率高的上引法生产12 15X63(T650mm紫铜宽幅带坯的方法。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案: 一种上引法生产12 15X63(T650mm紫铜宽幅带坯的方法,包括以下步骤: 在完成配料后利用潜流炉熔炼成熔体并使所述熔体保温,然后通过牵引机构进行牵引利用上引结晶器连续进行铸造,并通过取卷机定尺打卷成型;所述利用上引结晶器连续进行铸造过程中采用的工艺参数如下: 所述熔体出所述潜流炉前的温度为1090 1210°C,所述熔体的液面高度保持变化不超过±20mm,所述潜流炉的熔池内木炭覆盖厚度保持> 150mm,所述上引结晶器的冷却水进水温度彡30°C,出水温度彡45°C,水压稳定在0.3 0.6Mpa ;所述牵引机构的上引速度为20 IOOmm/分钟。所述潜流炉包含有两个用于加料熔化的熔池以及一个用于所述熔体的保温上引的保温池,两个所述熔池之间的隔墙底部有一个114X IOOmm的通孔。所述上引结晶器包括二次冷却室、一次冷却室以及与所述一次冷却室连接的石墨模具,所述石墨模具与所述一次冷却室间设有导热粉,所述一次冷却室内设有纵向水槽,所述二次冷却室与紫铜宽幅带坯间设有石墨鳞片。本专利技术由于采用配料一熔炼一上引连续铸造一打卷定尺的工艺流程,相对热轧法流程缩短7道工序,能耗测算降低多于三分之一,生产率大幅度提高;相对水平连铸法流程缩短4道工序,能耗降低多于四分之一,且使得上引结晶器的寿命大大提高,生产连续性及效率提高,设备成本降低,具有无比的优越性。附图说明图1所示为本专利技术实施例提供的上引结晶器的结构示示意 图2为图1的装配示意图 图3为图1的结晶器的局部剖视图。具体实施例方式下面,结合实例对本专利技术的实质性特点和优势作进一步的说明,但本专利技术并不局限于所列的实施例。本专利技术实施例所述的上引法生产紫铜宽幅带坯的方法,可用于生产12 15X63(T650mm紫铜宽幅带坯,即厚度为12 15mm,宽度为63(T650mm的紫铜宽幅带坯,该方法包括以下步骤: 在完成配料后利用潜流炉熔炼成熔体并使所述熔体保温,然后通过牵引机构进行牵引利用上引结晶器连续进行铸造,并通过取卷机定尺打卷成型;所述利用上引结晶器连续进行铸造过程中采用的工艺参数如下: 所述熔体出所述潜流炉前的温度为1090 1210°C,所述熔体的液面高度保持变化不超过±20mm,所述潜流炉的熔池内木炭覆盖厚度保持≥150mm,所述上引结晶器的冷却水进水温度≤30°C,出水温度≤45°C,水压稳定在0.3 0.6Mpa ;所述牵引机构的上引速度为20 IOOmm/分钟。本专利技术实施例中, 所利用的潜流炉具有双熔池结构,两个熔池之间的隔墙底部有一个IHXlOOmm的通孔。其中熔化池用于加料熔化,保温池用于熔体的保温上引。熔化池的炉盖开有缝隙形的加料口,有一定的封闭隔离空气和保温作用。保温池的炉盖有良好的封闭隔离空气和保温效果,除非添加木炭和出现异常情况必须观察时打开,其他时间炉盖始终保持关闭状态。参见图f 3所示,所述的上引结晶器包括结晶器本体1,所述结晶器本体I的上部为二次冷却室2、下部为一次冷却室3,结晶器本体I下方设有石墨模具4,石墨模具4的外侧与结晶器本体I的一次冷却室3外侧设有石墨保护套5,石墨模具4与结晶器本体I的一次冷却室3连接,石墨模具4与所述结晶器本体I的一次冷却室3之间设有导热粉,石墨保护套5与石墨模具4及结晶器本体I的一次冷却室3之间设有硅酸铝纸,一次冷却室3的内部设有纵向水槽6,二次冷却室2与带坯之间设有石墨鳞片7。所述上引结晶器的组装和安装按照连铸通用技术,石墨模具安装前必须烘烤,安装时石墨模具与一次冷却室必须充分接触,铸口安装结晶器组件之前,必须经过试压不漏水方可使用,仔细检查铸口的制作,符合连铸通用技术后,方可对接装入上引结晶器,对接时石墨组件受力均匀不变形,对接后石墨组件的板面必须垂直平行。本专利技术实施例所述生产方法适用于对TU1、TU2、T2、T2、TP1产品的生产,因此对生产用的原材料和木炭有极为严格的要求。I)由于潜流炉专用于生产各种高纯度铜加工产品,因此只使用阴极铜和上述TU1、TU2、T2、T2、TPl牌号的清洁旧料。除电缆带和高导电率产品外,允许使用少量磷铜中间合金。2)标准阴极铜,禁止使用表面发黑、暗绿色、有铜绿、铜瘤、油污、污泥以及潮湿的阴极铜。3)允许使用以下旧料: 表面清洁、没有锈蚀氧化、污泥、油泥等任何附着物的旧料。禁止使用由于轧制断带产生的料头、料尾等带有较多乳液的旧料。严格禁止对上述旧料打包使用。上引车间产生的废品:可以使用上引车间内部产生的铜成分合格的上引废品。但不允许使用成份不合格、不明确、不均匀、表面不清洁、有污泥、潮湿的上引废品。4)磷铜中间合金技术要求(CuPIO、CuP15) 成分明确可靠、表面清洁、干燥、没有污泥、油污、锈蚀的颗粒状中间合金(粒度大于5毫米)。不允许使用粉末状中间合金。5)木炭要求 要求采用硬杂木优质、干燥、清洁木炭。木炭粒度> 30_。本专利技术实施例中,所述的潜流炉专用于生产TU1、TU2、T2、TPl等高纯度工业铜加工产品,炉体结构与分体炉不同,加料熔化方法也不同。操作的关键要求是: *必须严格保证入炉的电解铜、回炉旧料、磷一铜中间合金成分合格可靠、表面清洁、干燥、没有氧化变色、没有铜绿; *加料操作必须做到“定时定量、少量多餐”、逐块烘烤加入。保证液面高度稳定,炉温稳定,减小炉温波动; *必须严格保证入 炉的木炭清洁、干燥、粒度> 30mm。入炉的木炭必须经过充分烘烤,必须保证木炭覆盖厚度自始至终> 150毫米; *操作过程中,根据加料速度,尽可能快的调节得到一个稳定不变的电压,使炉温波动尽可能的小。*在生产操作过程中必须自始至终、小心谨慎,严格遵守以上操作要求。特别是对于气孔缺陷,由于一时的马虎产生气孔之后,不仅废工、废时、废料,而且校正十分困难。I)新、旧料配比和中间合金加入量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上引法生产12~15×630~650mm紫铜宽幅带坯的方法,其特征在于,包括以下步骤:在完成配料后利用潜流炉熔炼成熔体并使所述熔体保温,然后通过牵引机构进行牵引利用上引结晶器连续进行铸造,并通过取卷机定尺打卷成型;所述利用上引结晶器连续进行铸造过程中采用的工艺参数如下:所述熔体出所述潜流炉前的温度为1090~1210℃,所述熔体的液面高度保持变化不超过±20mm,所述潜流炉的熔池内木炭覆盖厚度保持≥150mm,所述上引结晶器的冷却水进水温度≤30℃,出水温度≤45℃,水压稳定在0.3~0.6Mpa;所述牵引机构的上引速度为20~100mm/分钟。

【技术特征摘要】
1.一种上引法生产12 15X63(T650mm紫铜宽幅带坯的方法,其特征在于,包括以下步骤: 在完成配料后利用潜流炉熔炼成熔体并使所述熔体保温,然后通过牵引机构进行牵引利用上引结晶器连续进行铸造,并通过取卷机定尺打卷成型;所述利用上引结晶器连续进行铸造过程中采用的工艺参数如下: 所述熔体出所述潜流炉前的温度为1090 1210°C,所述熔体的液面高度保持变化不超过±20mm,所述潜流炉的熔池内木炭覆盖厚度保持> 150mm,所述上引结晶器的冷却水进水温度彡30°C,出水温度彡45°C,水压稳定在0.3 0.6Mpa ;所述牵引机构的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王传信陈连新余学涛石玉启王建辉
申请(专利权)人:青岛创佳铜业有限公司
类型:发明
国别省市:

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